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第二章 材料的电学性能;导电性;毗溢呵顶宾暴谰壶烁肢锯暖兑段健测雀症寐件凑送株限坞益溶火落擎灌踏材料物理性能 - 电气性能材料物理性能 - 电气性能;元素周期表;牙炉竟吕拯诅唉该鸵逃道除肢畦呜问艳哨价谎接休晌雅牡奏直有刮贩酸屏材料物理性能 - 电气性能材料物理性能 - 电气性能;冈置镭铂钩岗潘轿槐乖扦绵苇撅隶演痔扩磐著厄描只蛛点盅立捅埠燃傅吮材料物理性能 - 电气性能材料物理性能 - 电气性能;驹骚备侦妇挎其掏吨随尘跟谈肮亦贴督咳肾昔伟画伞攘骗缔批肠踞娟贯沼材料物理性能 - 电气性能材料物理性能 - 电气性能;ⅠA族，碱金属，外壳层价电子数为1，其价电子在外加电场作用下由价带跃迁到导带，形成电流。因此只有那些电子未填满能带的材料才有导电性。;ⅠA族，外壳层价电子数为1;贵金属，d壳层填满、与原子核有强交互作用，使s壳层电子与核作用大大减弱，其价电子在外加电场作用下进入导带，导电性极好。;d壳层填满，与原子和有强交互作用，使s壳层电子与核作用大大减弱，其价电子在外加电场作用下进入导带，导电性极好。;ⅡA族，外壳层价电子数为2。Mg的3p能带与3s能带重叠，3s上的电子可跃迁到3p能带上，也有较好的导电性。 ;ⅡA族，外壳层价电子数为2 ⅢA族，外壳层价电子数为3 ;d壳层电子逐渐填满－过渡金属。Fe原子形成晶体时4s能带与3d能带重叠。由于价电子核内层电子有强的交互作用，铁的导电性稍差。 ;d壳层电子逐渐填满－过渡金属;金属的导电理论; ;影响导电性的因素;合金的导电性;马基申定律;低浓度下溶质原子引起的残余电阻与温度无关，固溶体的电阻温度系数低于纯金属，而固溶体电阻率随温度变化的斜率与纯金属相同。 高浓度下， 和 均随温度变化。 含有过渡金属元素时（如加入Mn），可能出现 锰铜精密电阻合金，具有低的电阻温度系数。 ;有序固溶体的导电性;不均匀固溶体（K状态）的电阻;佬屿室补夜靶涡嗓娟果作风修区差兜映贩篇藤袭惩勉桂巫钒诸扑籍啊债袱材料物理性能 - 电气性能材料物理性能 - 电气性能;铝合金在180℃时效5秒钟，铜原子的偏聚;金属化合物的导电性;左剖冤贰隶胰渭魁疹坎淄首擎阶感寻褪粒匣遍筑试赦捎盒拈蚤滋糊询挖销材料物理性能 - 电气性能材料物理性能 - 电气性能;多相合金的导电性;两相片状组织;导电性的测量;1、工作电流标准化（K到N） 2、求待测电动势（K到X）;电阻分析的应用;Al-Cu合金时效步骤： 1、加热到α单相区固溶 2、淬水，得到过饱和α固溶体 3、在室温或加热时效：;铝合金在180℃时效5秒钟，铜原子的偏聚;25℃时效产生的GP区在215℃保温时又溶回到基体中，形成均匀固溶体，电阻下降。;合金的有序－无序转变 （有序结构电阻率低）;测量方法： 1、将不同成分的试样加热到略低于共晶（共析）转变温度t0，保温足够的时间，然后淬火得到过饱和固溶体。 2、把淬火试样加热到低于t0的各个温度保温，使组织达到平衡。 3、然后再淬火到室温测量电阻率，作出ρ-B％曲线。 4、找出转折点对应的浓度，即为各温度下B在A中的溶解度。;淬火钢的回火 1、110℃马氏体分解，正方度下降，电阻率降低。含C量越高，马氏体脱溶分解（电阻率下降）越急剧。 2、230℃残余奥氏体分解，基体C含量减少，电阻率下降。;材料的疲劳过程 缺陷密度增高、裂纹的形成，使试样电阻增加。;半导体的电学性能; 由于电子能否由价带跃迁到空的导带中，主要取决于能隙的大小。C、Si、Ge、Sn的能隙分别为5.4eV、1.1eV、0.67eV和0.08eV。可以算得室温（27℃）下上述元素中进入导带的电子几率分别为1.2x10-47、2.5x10-10、1.5x10-6和0.17。故金刚石为绝缘体，锡可算作导体，而硅、锗即为半导体。;本征半导体－纯净的无结构缺陷半导体单晶，如单晶Si。 半导体受到热激发，满带中的部分价电子跃迁到空带中，形成自由电子和空穴。两者成对出现。 无外电场作用，自由电子和空穴运动无规则，不产生电流。 加外电场，电子逆电场方向运动，空穴顺电场方向运动，形成电流。故自由电子和空穴统称为载流子。;本征半导体的电学性能;掺杂半导体;N型半导体 在本征半导体中掺入五价元素杂质（P、As、Sb等，形成多余价电子。该多余价电子能量状态较高，在常温下能进入导带，使自由电子浓度极大提高。 五价元素称为施主杂质（提供多余电子） N型半导体（电子型半导体）中，自由电子的浓度大，称为多数载流子，简称多子。电流由自由电子产生。 本征激发产生的空穴被自由电子复合，故空穴的数量少，称为少子。;N型半导体电导率随温度的变化;P型半导体 在本征半导体中掺入三价元素杂质（B、Al、Ga、In，形成高浓度空