第3讲工艺与器件级LP(多VDD,多阈值,门控).pptVIP

上　课 手机 关了吗？撑;讲义内容LP需求、必要性便携和;上一讲分析了功耗源目的是有的放;第3讲 工艺和器件级的LP技术;本讲内容工艺和器件级最低层级工;本讲内容降低动态功耗特征尺寸选;降低动态功耗—特征尺寸降低动态;特征尺寸选择先进工艺，可降低节;先进工艺有利于LP先进工艺特点;降低动态功耗—电源电压降低动态;降低电源电压工艺进步?电源电压;如何既LP又不影响电路性能？采;几种多VDD技术的LP试验结果;电源电压为5V、4V和3V时，;当代SOC设计中采用的多VDD;多VDD技术的实施条件 单元库;Level shifters ;Voltage Scaling;Unidirectional ;Level Shifters ;Level Shifters ;Level Shifters ;一种简单结构的Low-to-H;Level Shifter P;Level Shifter P;Level Shifter P;Level Shifter P;Automation and ;Level Shifter R;Timing Issues i;Timing Issues i;Power Planning ;System Design I;System Design I;MVS/AVS每个区域选择一个;静态多电压的一种实现由高VDD;采用静态多电源电压技术的SOC;动态变电压原理通过仿真，分析S;DVS的关键在于找出合理的任务;动态变电压的LP效果和基于最差;自适应变电压（AVS）由Nat;采用AVS和TS的图像处理IC;采用多VDD技术的IC优化过程;多电压中的布局规划贤谩边相折咱;多电压的LP效果ARM1136;动态多电压和变电压的LP效果P;电源电压降低的极限电源电压能否;降低动态功耗—封装降低动态功耗;I/O的节点电容对动态功耗的影;内部操作功耗与I/O功耗比较实;取数据的I/O能耗32×32位;取数据的I/O能耗和乘操作能耗;如何降低I/O上的动态功耗？功;选择LP的封装形式封装的作用为;选择LP的封装形式SIPsys;针对电路特点开发的两个LP工艺;降低泄漏功耗—新工艺降低动态功;泄漏功耗—困扰先进工艺的核心问;当代CMOS工艺的泄漏功耗问题;降低方法工艺级控制器件的物理结;TI公司Texas Instr;Intel公司有两个65nm工;NEC公司 超低功耗工艺目标针;降低泄漏功耗—阈值电压降低动态;阈值电压和功耗、延迟的关系竖仿;阈值电压的改变对功耗、延迟的影;阈值电压的影响因素和调节方法影;多阈值技术（Multi-Thr;目的解决先进工艺的泄漏功耗过大;多阈值技术带来的新问题多阈值技;多阈值技术实现LP的具体方法方;不用路径采用不同阈值的MOS管;不同路径采用不同阈值MOS管局;不同路径采用不同阈值MOS管采;根据电路工作状态动态调整阈值从;MTCMOSMulti-Thr;用门控电源技术降低泄漏功耗门控;强化关断以降低亚阈值漏电功耗强;门控电源结合门控时钟门控电源结;门控电源结合门控时钟氟赶孤畏石;动态改变阈值技术－DTMOS调;动态改变阈值技术－阈值电压的缩;SOI工艺在多阈值控制方面有一;采用VTMOS技术的MPEG4;用于实现反偏的电荷泵带来的电流;如何控制衬底偏压实现阈值电压调;VTCMOSVariable ;VTCTL的工作原理VDD和G;栅极泄漏电流栅氧层厚度太厚：导;如何降低栅泄漏功耗？为了速度，;快速傅立叶变换处理器Fast ;背景知识何谓FFT？它是一种运;傅立叶变换的各种形式酉禹橡困桐;离散傅立叶正/逆变换的计算量办;FFT处理器有重要应用FFT的;LP的FFT处理器－SPIFF;技术方案的选择技术方案的选择1;SPIFFEE结构布局图和芯片;SPIFFEE的有关参数460;SPIFFEE的测试结果在0.;SPIFFEE中采用的LP技术;SPIFFEE中采用的LP技术;SPIFFEE的三个不同芯片S;SPIFFEE与其他商用FFT;SPIFFEE与其他商用FFT;SPIFFEE与其他商用FFT;SPIFFEE与其他商用FFT;小结降低动态功耗特征尺寸降低节;重点重点多电源电压LP技术多阈;讲义内容LP需求、必要性便携和;下 课待注虏淌甜砂迁艘拾艺锹逸;附 录 VTCTL 电;VTCTL的电路实现港跑失退忌;用双脉冲电荷泵??生2VDD不需;双脉冲电荷泵左电路551055;双脉冲电荷泵右电路5ck19.;双脉冲电荷泵当CL＝CP时5c;双脉冲电荷泵8.89.49.4;双脉冲电荷泵9.49.48.8;双脉冲电荷泵牧讥籽己御鸭发榔之;用单脉冲电荷泵产生2VDD左电;单脉冲电荷泵2VDDVDD2V;单脉冲电荷泵祭悉腾因浸娠增纤乘;用二极管电路产生-VDDCk ;用PMOS管产生-VDD产生只