蒸镀溅射沉积.PPT

§8.2 物理汽相沉积（PVD） 物理气相沉积 —— Physical Vapor Deposition 缩写为： PVD； 通常用于沉积薄膜和涂层 沉积膜层厚度：10-1nm～mm； 一类应用极为广泛的成膜技术，从装饰涂层到各种功能薄膜，涉及化工、核工程、微电子以及它们的相关工业工程。 包括 蒸发沉积（蒸镀）、溅射沉积（溅射）和离子镀等。 一、真空蒸发镀膜（蒸镀） 蒸镀——利用真空泵将淀积室抽成“真空”，然后用高熔点材料制成的蒸发源将淀积材料加热、蒸发、淀积于基片上。 1. 物理基础 （1）物理阶段： ① (淀积材料的)升华：S→V； ② 输运：蒸发源→基片上； ③ 沉积： V→S ； ④ 重新排列：淀积粒子在基片上重新排列或键合 蒸发淀积——不平衡过程； 恒定条件——高质量膜。 （2）封闭体系内的P—T关系： ∵ ∴ 积分： （3）蒸发速率和凝结速率 ① 蒸发速率Ne： ——热平衡条件下，单位时间内，从蒸发源每单位面积上射出的平均原子数。 （1/cm2·s） 成立条件：S几个cm2，且P1Pa 质量蒸发速率G： ——单位时间内，从单位面积上蒸发的质量。 ② 凝结速Na：  ——蒸发源对基片单位面积的沉积速率。 Na与系统的几何形状、源与基片的相对位置、蒸发速率有关 设：a. 忽略碰撞，直线运动； b. （4）蒸发制膜的厚度 ∵τ时间内，蒸发材料的总量：m =ANe?，密度：? ∴ 膜厚： 点蒸发源： 小型平面蒸发源： 令： ， 在x=0处：cos?=cos?=1 ∴ (9) 代入(7)，可得 ： 2. 残存气体对制膜的影响 （1）残存气体的蒸发速率Ng： （2）到达基片的气体分子与蒸气分子之比(面源)： 讨论：减小污染的途径 1）Pg越小，Ng/Nd小，污染小； Nd较大， Ng/Nd小，污染小； 2） ?大，cos ?小，污染大；远离中心处的膜片薄，污染大，膜生长速率低，质量不好； 3）膜质还与蒸发材料和残存气体的性质、膜结构、基片温度以及基片自身的污染有关； 4）净化处理：对真空系统——烘烤；对基片——加热去污。 3. 蒸镀分馏问题 由于各组分的饱和蒸气压不同，因而蒸发速率不同，造成沉积膜的成分与母体不同（分馏），薄膜本身成分也随厚度而变化（分层）。 合金在蒸发时会发生分馏 设：物质含A，B成分，MA、MB，PA、PB， 则由（3）式，得 ： 4. 蒸发源类型 （1）电阻加热蒸发源 选择原则：在所需蒸发温度下不软化，饱和蒸气压小，不发生反应； 一般采用高熔点金属如钨、钽、钼等材质，常作成螺旋丝状或箔舟状，如图8.2.4所示。 特点：结构简单，造价低，使用广泛；存在污染，也不能蒸镀高Tm材料。 （2）电子束加热蒸发源 电子束集中轰击膜料的一部分而进行加热的方法。 优点: （1）可以直接对蒸发材料加热； （2）装蒸发料的容器可以是冷的或者用水冷却，从而 可避免材料与容器的反应和容器材料的蒸发； （3）可蒸发高熔点材料，例如：钨（Tm=3380℃）、钼(Tm=2610℃)和钽（Tm=3000℃）等耐热金属材料。 缺点： （1）装置复杂； （2）只适合于蒸发单元元素； （3）残余气体分子和蒸发材料的蒸气会部分被电子束电离。 5. 真空蒸镀工艺 （1）蒸镀合金膜 会产生分馏，对策——连续加料，调节熔池成分 例如：镀A4B1 膜，已知： 控制镀料成分：A1B25, 保证： A4B1膜料成分 若：一次性加料，A消耗快； ∴ 连续加料，保证熔池料为 A1B25, 从而膜料成分为A4B1； 在蒸镀过程中，还应注意使熔池温度和体积保持恒定。 （2）蒸镀难熔化合物膜——多数会分解 例如：A12O3 Al、AlO、(AlO)2、Al2O、O和O2 等， 解决对策——适当通氧 （3）反应镀膜 6.蒸镀的特点和用途 特点：镀膜速率快，可多块同