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崑 山 科 技 大 學 電子工程系四技部 專 題 研 究 報 告 以HFSS軟體模擬分析矽基板 上 螺旋型電感之特性探討 學生 ：張添鴻 蔡煜言 蔡凱元 指導教授 ：蔡夢華老師 中 華 民 國 九 十 五 年 五 月 摘 要 近年來製程技術世代的演進過程中 ，由微米技術進步到次微米技 術後 ，元件尺寸也不斷地縮小化 ，在此同時，系統之運作速率及操作 頻率則邁向更高頻之範圍 ，為同時滿足這兩種需求，則須將現有的分 散式系統架構整合於 CMOS製程中且為單一晶片型式 。為了配合CMOS 製程 ，現用於射頻IC電路的元件如電晶體 、電感、電容等其結構及製 造方法皆須重新設計 ，以簡化設計的難度，提高製程的良率。另外， CMOS製程中矽材料的損耗比其他製程如 Ⅲ-Ⅴ製程要大 ，因此利用矽 基底做成的螺旋電感 ，一般而言，其Q值皆較低 ，因此如何提高CMOS 電感的 Q值一直是不少研究學者關心的課題 。 本次專題中是研究在矽基板上 ，平面螺旋電感的特性。在 TSMC0.18um的製程條件下探討 CMOS電感的特性 ，一般特別在意電 感的感值 、共振頻率和品質因素。在設計電感時，電感品質的高低， 是影響電路效能的重要關鍵 。本次專題研究採用Ansoft HFSS (High Frequency Structure Simulator)來模擬螺旋型 電感的特性 ，主要取其具 有3D模擬之特性 ，在不同的線寬、線距、中心距離、和圈數等條件下， 分析其對電感值、品質因素的影響 ，利用調整電感的幾何參數與製程 參數以獲取電感之最佳特性。 I 目 錄 摘要 I 目錄 II 圖目錄 IV 第一章 研究動機與研究方法 1 第二章 HFSS使用介紹 4 2.1 大綱4 2.2 主要視窗介紹5 2.3 繪圖流程7 2.4 設定物件材質10 2.5 設定物件的 port及邊界條件 13 2.6 運算設定(Solution Setup)14 2.7 驗證與求解15 2.8 判斷收斂性16 2.9 Post Process17 第三章 平面螺旋型電感理論18 3.1 導論18 3.2 品質因素(Quality factor)19 3.3 平面螺旋型電感器感值計算22 II 3.4 運用模擬結果推算電感的感值以及 Q值. 29 3.5 平面螺旋型電感器等效電路模型與物理意義32 3.6 平面螺旋型電感器的損耗38 第四章 平面螺旋型電感器的模擬42 4.1 圈數改變的影響43 4.2 金屬厚度45 4.3 金屬線距47 4.4 金屬線寬49 4.5 電感內徑 （ＩＤ）50 4.6 金屬到基底的距離52 4.7 使用外粗內細的結構54 第五章 結論57 參考文獻59