用mocvd方法制备znob透明导电薄膜及其性能优化 characteristics and growth of zno b thin films by mocvd process.pdfVIP

第29卷第8期 太阳能学报 、Ⅵ．29．No．8 2008年8月 Ac】哺ENERGIAESOI．ARISSIMCA Allg．，2008 用MOCVD方法制备Zno：B透明导电 薄膜及其性能优化 孟凡英，江民林，余跃波，胡 宇 (上海交通大学物理系太阳能研究所，上海200240) 摘 要：采用金属氧化物化学气相沉积(M啪)方法在石英衬底上生长氧化锌(z棚)薄膜。改变薄膜材料的生长 温度和掺杂气体硼烷(赐地)的流速，制备一系列薄膜样品。通过x-射线衍射(ⅪⅢ)、扫描电子显微镜(SEM)、透过 率、反射率、电阻率和原子力显微镜(AnI)等测试分析，研究了材料生长温度和曰2地流速对薄膜生长速度、微观结 构、薄膜晶向、光学透过率、光学禁带宽度、电阻率、表面粗糙度等特征参量的影响，经过优化实验条件，获得薄膜电 阻率在10。3Q·伽量级，可见光区域光学透过率在85％以上，成功制备低电阻率高光学透过率的瑚透明导电薄 膜。 关键词：z110：B；光学透过率；电阻率；透明导电薄膜(1℃O)；MOc、Ⅲ 中图分类号：删 文献标识码：A 于作为缓冲层和透明导电薄膜材料在薄膜太阳电池 O 引 言 中的应用尤其重要。 随着光伏科学与技术的迅速发展，ZnO薄膜的 透明导电特性越来越受到重视，尤其在薄膜太阳电 1实验 池领域，由于其成本低、储量丰富，非常适合做太阳 本工作中采用有机氧化物化学气相沉积 电池的接触电极。本征砷材料的禁带宽度约为 3．3“，这意味着波长大于380衄的光都能透过，即 说明其具有较高的光学透过率。znO薄膜的导电特 过程为： 性是因为薄膜中zrI和O的化学计量比偏离1：1，大 z11(CH3 量本征施主缺陷(如替位式历原子和O空位)导致 cH3cOcH3千(g越)+c02千(g鹤) 了znO薄膜呈弱n型，而这种本征弱n型的导电薄 其中n型掺杂剂气体为用氢气稀释的硼烷(B2地)， 膜不能满足太阳电池的需要，为此需进行掺杂来提 其浓度约为1％，生长薄膜前驱物的携带气体为氩 高电导率，常见的n型znO掺杂剂的元素有灿、Ga、 气(心)。在薄膜生长过程中，锌源和氧化剂的温度 B、IIl、F、sn等，同时由于杂质的掺杂效应会引起带隙 展宽，从而进一步提高光透过率，此外通过退火等后 处理还可改善薄膜的电学特性和结构特性。制备氧 积过程中工作气压稳定在1．50torr，沉积时间约为 化锌薄膜的方法很多[1加]，如：溅射、脉冲激光沉积 30ⅡlirI。为了获得性能优良的透明导电薄膜，不断调 (PUD)、化学气相沉积(A啪、MOCvD等)、化学池 沉积(cBD)、化学喷涂、溶胶．凝胶、电镀等。 160℃，改变掺杂剂气体硼烷的流速从1、2、4到7s． ocn·。在清洗干净的石英衬底上生长一系列加样 本实验工作中采用MocvD系统生长znO薄 膜，在薄膜生长过程中，由于没有高能粒子产生，对 品，并对样品进行结构，光学和电学等特性的测试分 底层材料不会造成轰击损伤，是个软沉积过程，这对 析。利用DEK心KⅡ台阶仪测试薄膜厚度，由于成 收稿日期：20cr7*24 通讯作者：孟凡英(197l一)，女，博士、副教授，主要研究方向为半导体太阳电池材料与器件。fyI呻蝴1@8j缸1．echl．∞