真空蒸发制备zn(s,se)薄膜及其性能研究 property study of zn(s,se) thin films prepared by vacuum evaporetion.pdfVIP

第27卷第10期 太阳能学报 V01．27．№．10 2006年10月 ACrAENERcIAESOI．ARIsSIMCA Oct．．2006 真空蒸发制备Zn(S，Se)薄膜及其性能研究 李蓉萍1，荣利霞2 (1．内蒙古大学理工学院，呼和浩特010021；2．中国科学院高能物理所，北京100039) 摘要：利用真空蒸发技术在z11S粉末中掺人不同比例的Se粉末作为源材料，选择合适的工艺条件在玻璃衬底上 高阻状态，在可见光范围内具有良好的透过率。随se成分的增加薄膜由无色透明变为橘黄色透明，吸收限向长波 方向移动。 关键词：zn(s，Se)薄膜；薄膜制备；真空蒸发；性能研究 中图分类号：0484．1 文献标识码：A 我们利用真空蒸发技术在玻璃衬底上获得了 O 引 言 近年来，Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体以优异的光电性 特性进行了研究。 能和在光电器件中的广泛应用引起了人们极大的兴 趣。Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体所包括的禁带宽度范围 1 实验 比较宽(如室温时znS的禁带宽度为3．66ev，而 1．1薄膜的制备 HgTe的禁带宽度为(0．14ev)，而且Ⅱ一Ⅵ族的三元化 我们采用高纯Zns和Se粉末作为源材料，把清 合物还可以通过改变组成配比来调节和控制禁带宽 洗烘干的玻璃衬底放人蒸发室内，将蒸发室抽真空 度的大小，因此适合于制造各种工作波长的光电子 器件。在这些化合物中，znS和ZnSe薄膜由于具有 从可见光到紫外光范围内潜在的器件应用价值而倍 受瞩目。 膜。利用自动恒温扩散炉对薄膜进行不同温度条件 znS薄膜在室温下是一种禁带宽度为3．66ev的 的热处理。 直接带隙半导体材料，具有良好的光学性能…，它在 1．2性能测试 短波长激光器、薄膜电致发光器件和蓝色发光二极 我们用x射线衍射仪对薄膜的物相结构进行了 管等器件中得到广泛应用【2删。znse薄膜在室温下 测试，利用四探针电阻率测试仪和冷热探针对薄膜 的禁带宽度为2．68eV，是一种宽禁带半导体材料，具的电阻率和导电类型进行了测试，利用紫外可见分 有较好的稳定性及红外波段的低吸收性和透可见光 光光度计对薄膜的光学性能进行了测试。 的功能，是一种极有希望的发光二极管材料。zn(s， 2结果与讨论 se)三元化合物是一种直接带隙半导体，在300K时 其禁带宽度可从2．68ev(znSe)变化到3．66eV(znS)。x衍射发现衬底温度为室温时薄膜为无定形状 因此使得采用340。460姗波长的光进行发射、检测态，衬底温度为120℃时薄膜为纤锌矿结构，具有沿 和调制成为可能。这方面的应用对应于在可见光范 [002]晶向的择优取向。 围内蓝色波段中的操作，这正是目前人们在快速转 利用四探针电阻率测试仪和冷热探针对薄膜的 换应用中急需解决的问题。 测试发现，实验中制得的各种薄膜均为n型高阻薄 收稿日期：2003一11一11 基金项目：内蒙古自治区自然科学基金资助项目(9r71301—3) 万方数据万方数据 10期 李蓉萍等：真空蒸发制备办(s，Se)薄膜及其性能研究 983 膜。薄膜在可见光范围内具有较高的透过率。而在 ～砌的关系曲线，由图可见，随着A值的增加光学 紫外区透过率迅速下降。 带隙有减小的趋势。这表明可以通过改变zn(s，s