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第29卷 第6期 半 导 体 学 报 Vo1．29 No．6
2008年6月 JOURNAL OF SEMICONDUCTORS June，2008
Transient Characteristics of a Nonlinear GaAs Ph0t0c0nductive
Semiconductor Switch
Wang Xinmei ，Shi Wei，Qu Guanghui，and Tian Liqiang
(xi’an University ofTechnology，Xi’an 710048，China)
Abstract：The transient resistance，voltage，and power of a nonlinear GaAs photoconductiVe semiconductor switch(PCSS)
are presented by the finite difference formula to deal with the experiment data，based on the conversation of energy in the
switch circuit．This method resolves the problem of directly measuring the transient characteristics of PCSS in nonlinear
mode．The curve of transient voltage shows that the averageelectric field of PCSS in the lock-on period is always higher
than the Gunn threshold，and increases monotonical1y．By comparing the transient power curves of the PCSS and the elec-
trical source，it is demonstrated directly that the power shortage leads to the PCSS from the lock-on state into the self-
turnoff state，so a controllable turnoff of the PCSS in lock-on by changing the distribution of the circuit power is predic-
ted．
Key words： photoconductive semiconductor switch；lock-on effect； nonlinear mode； controllable turnoff
PACC：7240；0365B；0660J
CLC number：TN201 Document code：A Article ID：0253-4177(2008)06—1108-03
1inear GaAs PCSS are presented by the finite differ·
l IntrOductiOn ence formula to deal with the experiment data，using
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