第五章光电探测器.ppt

第五章 光伏探测器;一、 光伏效应定义 光子照射PN结产生了电压（光生电动势），当两端短接时会产生短路电流。 （内光电效应， photovoltage PV） 光伏效应是基于p－S、 n－S两种材料相接触时形成的内建势垒;N 型半导体和 P 型半导体;; 光照p区（p区极薄），当光波长 激发光生电子——空穴对 光生电子向p区体内扩散，p区极薄小于电子扩散长度Ln， 内建电场将光生电子扫向n区，空穴留在p区， 此时，pn结两端有电压，称为开路电压uoc。 当将p区n区用导线短接，电流表读数不为零；此电流称为短路电流isc。;P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴（少子）扩散到结电场附近; 光生伏特效应;由上面分析可以看出，为使半导体光电器件能产生光生电动势（或光生积累电荷），它们应该满足以下两个条件： 只有光子能量h?大于材料禁带宽度Eg 的入射光才能激发出电子空穴对，使材料产生光生伏特效应的现象 ;具有光伏结构,即有一个内建电场所对应的势垒区。势垒区的重要作用是分离了两种不同电荷的光生非平衡载流子,在p区内积累了非平衡空穴,而在n区内积累起非平衡电子。产生了一个与平衡pn结内建电场相反的光生电场,于是在p区和n区建立起了光生电动势(或称光生电压)。;除了上述pn结能产生光生伏特效应外,金属—半导体形成的肖特基势垒层等其它许多结构都能产生光生伏特效应。其过程和pn结相类似,都是使适当波长的光照射材料后在半导体的界面或表面产生光生载流子,在势垒区电场的作用下,光生电子和空穴向相反的方向飘移从而互相分离,在器件两端积累产生光生电动势。;§5-2 光伏探测器的工作原理;PN结光电效应 光照激发，电一空对 电一空对在E内作以下分离 产生光电流，由光电转换定律 产生开路电压 光伏探测器内电流增益G等于1，这与光电导探测器明显不同。;设由P区流向N区的电流为正，流过P-N结的总电流为;光照下的P-N结的伏安特性曲线;由光照下的P-N结输出的总电流的表达式可以求得光伏器件的输出电压:;U? --- 与光强度成对数关系（最大值不超过P-N结内建电场的势垒高度VD）;三、光伏探测器的等效电路;等效电路;§5-2 光伏探测器的性能参数;PN结伏安特性在V=0处的动态电阻R0是:;二、噪声;2.有光照时;PN结在无光照时V=0处的零偏动态电阻R0是:;三、比探测率;利用光伏探测器的电流响应率RI可得到零偏置时的比探测率与零偏电阻R0的关系式;四、光谱特性;五、频率响应及响应时间;上限截止频率fc --- 输出信号功率降到零频时的一半（信号幅度下降到0.707）;六、温度特性;§5-3 光电池;一、硅光电池的类型和结构 1.硅光电池的类型;2.硅光电池的类型;1、等效电路;2、电流电压方程;pn结短路， , u=0， 输出电流为 ,电流为短路电流;--- 非线性;不同负载电阻下的输出特性;三、光电池的光电特性;开路电压和短路电流与光电池受光面积的关系;光电池两端接负载电阻RL --- 流过负载的电流为IL，压降为UL;四、最大输出功率及最佳负载电阻;过 和isc作伏安特性曲线的切线，两切线交于Q 连接OQ，线段OQ与伏安特性交于m点 则S□OCmD面积最大，;对应的最佳负载电阻;最佳负载电阻Rm的估算;当;实际光照下的开路电压计算（开路电压的换算） 根据手册中的光电池在特定光照度下的开路电压值，求出实际照度下的开路电压值;由光伏探测器的光电转换关系，;五、光谱特性;六．温度特性;七．频率特性;注意事项：;§5-4 光电二极管; ;2．硅光电二极管的结构 ;受光面 --- SiO2防反射膜（含有少量的钠、钾、氢等正离子）;--- 平面镜和聚焦透镜做入射窗;反向偏压不能太高 -- 引起雪崩击穿;② 开路电压比外加的反向电压小得多（忽略不计）;较小负载电阻下--- 光电流与入射光功率有较好的线性关系（电流灵敏度0.4~0.5?A/?W量级）;结电容很小 --- 频率响应很高，带宽可以达到100kHz以上;流过负载的交变电流复振幅; 四. 温度特性;五. 暗电流 ;§5-5 PIN光电二极管;将N层做成轻掺杂，使耗尽区变宽或变厚。这种掺杂很轻的N层,称作本征I层；另外，为了制成低电阻的接触，在I层的两端再做成重掺杂的P层和N层，并且它们的宽度很窄，或厚度很薄。 ;PIN光电二极管采用厚的本征层将峰值响应延伸到1.04～1.06um。;截止频率与线性范围;钓悯犊菲却瞅及局衔祟楔驴姓坐棍匣乒臀培仪僧蔬告配牲凭率姚怜迟酱多第五章光电探测器第五章光电探测器; ;利用P-N结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种光伏器件;二．雪崩光电二极管的结构 ;三、伏安特性;① 雪崩增益M;最佳