集成电路芯片封装技术复习题教材.docVIP

一、填空题 1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为 狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为 广义封装 。 2、芯片封装所实现的功能有 传递电能 ； 传递电路信号 ； 提供散热途径 ； 结构保护与支持 。 3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、 芯片贴装 、 芯片互连 、 成型技术 、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。 4、芯片贴装的主要方法有 共晶粘贴法 、 焊接粘贴法 、 导电胶粘贴发 、 玻璃胶粘贴法 。 5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为 黏着层 、 扩散阻挡层 、 表层金保护层 。 6、成型技术有多种，包括了 转移成型技术 、 喷射成型技术 、 预成型技术 、其中最主要的是 转移成型技术 。 7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做 焊料 ；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做 助焊剂 ；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做 锡膏 。 8、气密性封装主要包括了 金属气密性封装 、 陶瓷气密性封装 、 玻璃气密性封装 。 9、薄膜工艺主要有 溅射工艺 、 蒸发工艺 、 电镀工艺 、 光刻工艺 。 10、集成电路封装的层次分为四级分别为 模块元件（Module） 、 电路卡工艺（Card） 、 主电路板（Board） 、 完整电子产品 。 11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、 干式抛光 、 化学机械平坦工艺 、 电化学腐蚀 、 湿法腐蚀 、等离子增强化学腐蚀等。 12、芯片的互连技术可以分为 打线键合技术 、 载带自动键合技术 、 倒装芯片键合技术 。 13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行 在硅片正面切割一定深度切口 再 进行背面磨削 。 14、膜技术包括了 薄膜技术 和 厚膜技术 ，制作较厚薄膜时常采用 丝网印刷 和 浆料干燥烧结 的方法。 15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有 点涂 、 丝网印刷 、 钢模板印刷 三种。 16、涂封技术一般包括了 顺形涂封 和 封胶涂封 。 二、名词解释 1、芯片的引线键合技术(3种) 是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。 2、陶瓷封装 陶瓷封装能提供高可靠度与密封性是利用玻璃与陶瓷及Kovar或Alloy42合金引脚架材料间能形成紧密接合的特性。 3、共晶 是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶段，是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。是指在不改变封装体尺寸的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术，它起源于快闪存储器(NOR/NAND)及SDRAM的叠层封装。 12、生胚片 将各种无机和有机材料混合后，经一定时间的球磨后即称为浆料。也称为生胚片载体系统，陶瓷管壳的基板是有多层生片采用低温共烧技术连接在一起的是指两种扩散速率不同的金属在扩散过程中会形成缺陷小型片状之表面黏装零件，因其两端之金属封头与板面焊垫之间，在焊锡性上可能有差异存在或者是两端散热的速率不同导致焊锡的固化速率不同。经过红外线或热风熔焊后，偶尔会出现一端焊牢而另一端被拉起的浮开现象，特称为墓碑效应IC芯片提供机械支撑和环境保护、接通半导体芯片的电流通路、提供信号的输入和输出通路、提供热通路，散逸半导体芯片产生的热。 2、在芯片的组装过程中，常常运用到各种不同的焊接技术，详细叙述波峰焊技术和再波峰焊技术的工艺流程并比较其应用范围。 工艺流程：波峰焊技术：准备，元件插装，喷涂钎剂，预热，波峰焊，冷却，清洗 再波峰焊技术：印刷焊锡膏与pcb通孔焊盘，放置插装件，再流焊接。 应用范围：一般情况下，波峰焊用于混合组装方式，再流焊用于 全表面贴装方式 3、在芯片的制造过程中首先需要对芯片进行减薄与切割，详细叙述芯片切割的几种方式与以及他们的工艺流程。 芯片切割方式：机械式切割，激光式切割，隐形式切割 工艺流程：机械式切割:用机械的方式对晶圆进行切割以DBG为例，DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行切割再减薄 激光式切割：以激光全切割为例，将DBG加工后的晶片转放到框架上，剥离掉表面保护胶带后，从晶片表面一侧对DAF进行全切割。晶片已经分离成了芯片，所以就可以从芯片间照射激光，只将DAF切割 隐形式切割：是将激光