PCB制程介绍内层.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * 製程管制 Parameter of Development 顯影點(Break Point)定義 當板面完全顯影乾淨時,板子走過的距離與顯影槽總長度之比值,一般顯影點控制在60%左右較為合理 Break Point 顯影槽 顯影槽 至該處時完全顯影 L L1 顯影點=L1/L*100% Break Point 顯影點對顯影品質之影響 顯影點靠前,顯影完畢後,硬化油墨之側壁受到顯影液攻擊,側壁根部受到浸漲而出現變寬的多餘“殘足” (Extended Foot).這種“殘足”在後續蝕刻時易造成線路間短路 水洗對顯影品質之影響 通常水洗槽的長度/噴嘴構造/噴淋壓力等都會影響到油墨側壁的形狀.必須保證水洗時脫落的油墨碎片不可附著在板面上,否則也會造成蝕刻後線路間短路 Etching原理介紹 1.蝕刻分類:酸性蝕刻,鹼性蝕刻 2.酸性蝕刻原理 2.1反應原理 Cu+CuCl2 = 2CuCl(不溶) CuCl+2HCl = H2CuCl3(可溶) 2.2再生原理 6CuCl+NaClO3+6HCl = 3CuCl2+3H2O+NaCl 2CuCl+H2O2+2HCl = 2CuCl2+2H2O 3.鹼性蝕刻原理 3.1反應原理 Cu+Cu(NH3)2+4= 2Cu(NH3)+2 3.2再生原理 Cu(NH3)2+2 + 2NH3 = Cu(NH3)2+4 氯化銅蝕刻之監控 日本AQUA控制器可對蝕刻液中各成分之濃度作各自獨立分析,個別添加以及再生 1.比重測定 以1個敏感的微動浮球牽動及傳達微小的比重變化而測定之 2.鹽酸含量 利用磁場與鹽酸濃度成比例的原理設計感應器測定槽液中鹽酸的濃度 3.氧化劑濃度測定 測定銅棒在槽液中電解反應之氧化還原電位值反映氧化劑含量 蝕刻因子及側蝕(Etching Factor and Undercut) 蝕刻因子及側蝕作為衡量蝕刻品質的兩個重要依據 越小越好 越大越好,一般要求大於3 影響蝕刻品質之要素 含銅量 1價銅含量多,會在流速較小的線路邊緣停留形成天然護岸劑減少Undercut發生. 2價銅本身為蝕刻液中蝕銅之主力氧化劑,到達160g/L左右時正蝕速度的加快減少了側蝕發生的機會 輸送速度 輸送前進的速度要由蝕刻的結果作調整,通常以走過噴灑範圍3/4距離時蝕銅完畢為原則,速度越快側蝕發生的機會越小 影響蝕刻品質之要素 噴嘴噴型及噴壓 1.噴嘴有實錐型/空錐型/扇型 2.水平蝕刻因基板上有水池效應存在,故噴灑在基板上的壓力 會受到水膜的抵消,通常上壓設定比下壓高 3.線路順走出現的側蝕大於橫走出現的側蝕 4.細線路製作之噴淋方式改善 使線路面朝下,減少水池效應 藥液儘量垂直到達板面,減少側蝕 製程管制 Parameter of Etching 製程管制(Stipping) Parameter of Stripping 內 層 檢 驗 概 述 內層板線路成完後,必須保證通路及絕緣的完整性(integrity),即如同單面板一樣先要仔細檢查。因一旦完成壓合後,不幸仍有缺陷時,則已為時太晚,對於高層次板子而言更是必須先逐一保證其各層品質之良好, 始能進行壓合, 由於高層板漸多,內層板的負擔加重,且線路愈來愈細, 萬一有漏失將會造成壓合後的昂貴損失.傳統目視外,各廠漸增加短、斷路電性測試,但電測僅能將短斷測出,對於線路缺口/殘銅/露底材等缺點無法測出,故自動光學檢查(AOI)之使用在大廠中已非常普遍, 利用電腦將原圖案牢記,再配合特殊波長光線的掃瞄,而快速完美對各層板詳作檢查。電測→ AOI(簡單線路採目視) →(修補)→送下製程。 Automated Optical Inspection 1.CAMTECK AOI原理:主要是利用鹵素燈通光線,針對板面未黑化的銅面,利用其反光效果,進行斷、短路或凹陷的判讀. 2.Orbotech AOI原理:主要是針對板面的基材部份,利用對基材及銅面反射後產生螢光(Fluorescences) 在強弱上的不同,而加以判讀. Automated Optical Inspection CAMTECK及Orbotech邏輯設計原理比較(光學系統) 直射接收器 反射接收器 穿透接收器 直射光 散射光 CAMTECK僅對銅面反射光作分析,由於銅面反光受氧化/背面銅等影響,故易發生誤判現象.Orbotech分別對銅面反射光及基材直射光作分析並將分析結果作比對,故不受銅面狀況之影響,但對於銅面凹陷無法檢出 * * * * * * * * * * * * *