GBT驱动及短路保护电路研究.PDFVIP

维普资讯 总第 39卷 第 438期 电测与仪表 2002年 第 6期 ElectricalMeasurement＆ Instrumentati0n IGBT驱动及短路保护电路研究 李振 民，刘事 明，张锐 (中国科学院电子学研究所 ，北京 100080) 摘要 ：首先讨论 了对 IGBT的保护 以及对其驱动电路 的基本要求 ，然后基于 IGBT集 电极 退饱和原理 ，作者提供 了一个具有完善短路保护功能的IGBT驱动电路 。分析及试验结果 表 明，该 电路简单、实用、可靠性高。 关键词 ：IGBT驱动电路 ；短路保护 中图分类号 ：TN710．2 文献标识码 ：B 文章编号 ：1001—1390(2002)06—0048—03 The research ofIGBT driving and short-circuitprotection circuit LiZhenmin，Liu Shiming，Zhang Rui (InstituteofElectronics，ChineseAcademyofScience，Beijing 100080，China) Abstract：The methods ofprotection of IGBT and the basic requirements for driving circuitare described． A new circuitof IGBT driving and short—circuitprotection with perfectperformance isdeveloped． Itbase on the principle ofcollector—emitter voltage desaturation．Analysisand experimentresults show thatthe new circuitis simple，reli- able，and ofgreatapplication value． Keywords：IGBT；drivingcircuit；short——circuitprotection 0 引 言 路安全工作 区内】【1。 IGBT作为新型功率开关器件 ，以其在综合性能 当负载短路或上 、下桥臂直通时 ，电源 电压几 方面 的明显优 势在各类变流装置 中得 到 了广泛应 乎全部加在开关器件两端 ，产生很大 的短路 电流 ， 用 。然而在其使用过程 中 ，设计者往往 只重视主 回 IGBT饱和压 降 越小 ，短路 电流越大 ，相应 的器 路及缓冲电路 的设计 ，而忽视 IGBT驱动及短路保 件失效的风险就越大。 为 2V或更小 的 IGBT，其 护 电路 的设计 ，最终可能正是 由于这些 问题成为影 短路 电流承受时间≤51xs。 为 3-4V的 IGBT，短 响整机可靠性的主要因素。本文主要讨 沦 IGBT的 路 电流承受 时 间延长 到 2O s左右 [21。IGBT的这一 保护 问题 ，就如何合理选择和设计 IGBT驱动及短 特点要求设计者必须设计合理的短路保护 电路 ，以 路保护电路进行了论述 ，最后作者提出了一个 自行 防止因短路故障而损坏器件 。同时这一特点也为设 设计 的具有完善短路保护功能的 IGBT驱动 电路 ， 计短路保护电路提供 了便利 ：其一 ，。不变 ，IGBT 并对其进行 了深入分析