生长温度对 In G N G N 多量子阱 L ED 光学特性的影响.pdfVIP

《半导体光电》2008 年 4 月第 29 卷第 2 期 朱丽虹 等 : 　生长温度对 In GaN/ GaN 多量子阱L ED 光学特性的影响 光电器件 生长温度对 In Ga N/ Ga N 多量子阱LED 光学特性的影响 朱丽虹 , 刘宝林 , 张保平 ( 厦门大学 物理系 ,福建 厦门 361005) 摘 　要 : 　利用低压 MOCVD 系统 ,在蓝宝石衬底上外延生长了 In GaN/ GaN 多量子阱蓝紫光 L ED 结构材料 。研究了生长温度对有源层 In GaN/ GaN 多量子阱的合金组分 、结晶品质及其发光 特性的影响 。结果表明当生长温度从 730 ℃升到 800 ℃时 ,L ED 的光致发光波长从 490 nm 移到 380 nm ,室温下 PL 谱发光峰的半高全宽从 133 meV 降到 73 meV ,表明了量子阱结晶性的提高 。 高温生长时 ,PL 谱中还观察到了 GaN 的蓝带发光峰 ,说明量子阱对载流子的限制作用有所减弱 。 研究表明 ,通过改变生长温度可以对 L ED 发光波长及有源层 In GaN 的晶体质量实现良好的控制 。 关键词 : 　MOCVD ; In GaN/ GaN 多量子阱; 蓝紫光 L ED ; 蓝带 中图分类号 : TN 3 12 . 8 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 (2008) 02 - 0 165 - 05 Study of Optical Characteristics of In Ga N/ Ga N M QW L ED Depended on Growth Temperature ZHU Lihon g , L IU Baolin , ZHAN G Baop ing ( Department of Physics , Xiamen University , Xiamen 361005 , CHN) Abstract : 　A serie s of blueviolet L ED s wit h In GaN/ GaN multiquant umwell s ( MQ W s) st r uct ure were grow n by lowp re ssure met alor ganic chemical vapor depo sition (L PMOCVD) . The growt h t emp erat ure of t he active layer i s very import ant for t he indium concent ration ,cry st al qualit y an d op tical p rop ertie s of t he samp le . The emi ssion wavelengt h over t he range of 490～380 nm were achieved by varying t he growt h t emp erat ure bet ween 730 ℃and 800 ℃. A nd t he f ull widt h at half of maximum of t he p hotolumine scence and elect ricalumine scence sp ect r um were st udied a s a f unctio n ( FW HM) of t he growt h t emp erat ure . A naly si s of t he relatio n bet ween t he emi ssion sp ect rum and t he growt h t emp erat ure