四场效应晶体管.pptVIP

§1.4 场效应晶体管 §1.4. 1 结型场效应管(Junction Field Effect Transistor) 2. 工作原理 工作原理 工作原理 工作原理 工作原理 3. 特性曲线 §1.4. 2绝缘栅型场效应管( Insulated Gate Field Effect Transistor) 1. N沟道增强型MOSFET (2) 工作原理（以N沟道增强型为例） ①栅源电压VGS的控制作用 ①栅源电压VGS的控制作用 ②漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 ②漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 ②漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 (3) 特性曲线（以N沟道增强型为例） 输出特性曲线 2.其它类型MOS管 各种类型MOS管的特性曲线 各种类型MOS管的特性曲线 §1.4. 3 场效应管的主要参数 2.交流参数 3.极限参数 1.4.4场效应管与双极型三极管的比较及使用注意事项 §2.5 场效应管放大电路 2.5.1场效应管的小信号模型 2.5.2 共源极放大电路 1 电路组成 2 静态工作点的确定（估算法） 3 动态参数分析 2.5.3 共漏极放大电路 交流分析 输出电阻 2.5.4 共栅极放大电路 例题1 共源 例题1解 微变等效电路 直流分析 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－IDR 由此可以解出VGS、ID和VDS。 与三极管共集电极电路对应 直流通路： Rg的作用？ Ro≈Rd * * 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 场效应管： 结型 N沟道 P沟道 MOS型 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 1. 结型场效应管 箭头方向表示栅结 正偏或正偏时栅极 电流方向。 N沟道结型场效应管的结构动画 D(Drain):漏极，相当c G(Gate):栅极，相当b S(Source):源极，相当e ID （1）VGS对导电沟道的影响： VP(VGS(OFF) )：夹断电压 (a) VGS=0，VDS=0，ID=0 结型场效应管通常工作在反偏的条件下。N沟道结型场效应管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区。 N沟道结型场效应管工作原理： (c) |VGS | =? VP ? ，导电沟道被全夹断 (b) 0? VGS ? ? VP ? ? VGS ?? ? 耗尽层变宽 VGS控制导电沟道的宽窄，即控制ID的大小。 VP(VGS(OFF) )：夹断电压 （2）VDS对导电沟道的影响： VDS0 ,但|VGS-VDS| | VP |. VDS增加，d端电位高，s端电位低，导电沟道内存在电位梯度，所以耗尽层上端变宽。 VDS?? ID ? ID (b) | VGS- VDS | = | VP |时，导电沟道在a点相遇，沟道被夹断。 VGS=0时，产生夹断时的ID称为漏极饱和电流IDSS ID (c) VDS??夹端长度? 场强大? ID=IDSS基本不变。 ID J型场效应管的工作原理动画 VDS=10V时的转移特性曲线 IDSS是在VGS = 0， VDS |VP | 时的漏极电流 当|vGS - vDS |? | vP |后，管子工作在恒流区，vDS对iD的影响很小。实验证明，当|vGS - vDS |? | VP | 时，iD可近似表示为： 特性 特性2 绝缘栅型场效应管IGFET又称金属氧化物场效应管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻可达1015?。 增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道， 在VDS作用下无iD。 耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道， 在VDS作用下有iD。 浓度较低的P型硅 SiO2 薄膜绝缘层 两个高掺杂的N型区 从N型区引出电极作为D和S 在绝缘层上镀一层金属铝并引出一个电极作为G D(Drain):漏极，相当c