第二讲 基本结构.ppt

共105页 第二章 单片机的基本结构 图2–5 指令寄存器和指令译码器 图2–8 80C51单片微机指令时序 图2–10 片内数据存储器各部分地址空间分布图 表2–1 工作寄存器组 表2–2 字节地址和位地址的关系  表2–3 特殊功能寄存器SFR的名称和地址 表2–4 特殊功能寄存器(SFR)的位地址 说明： （1）21个可字节寻址的专用寄存器是不连续地分散在内部RAM高128单元之中，尽管还余有许多空闲地址，但用户并不能使用。 （2）程序计数器PC不占据RAM单元，它在物理上是独立的，因此是不可寻址的寄存器。 （3）对专用寄存器只能使用直接寻址方式，书写时既可使用寄存器符号，也可使用寄存器单元地址。 全部专用寄存器可寻址的位共83位，这些位都具有专门的定义和用途。这样，加上位寻址区的128位，在8051的内部RAM中共有128+83＝211个可寻址位。而8052有128+93=221个可寻址位。 表2－5 8051并行I/O接口的异同 工作过程： ?????? P1.i位作输出口用时：CPU输出0时，D＝0，Q＝0，Q＝l，晶体管Q0导通，A点被下拉为低电平，即输出0；CPU输出1时，D＝l，Q＝1，Q＝0，晶体管Q0截止，A点被上拉为高电平，即输出l。 ? P1.i位作输入口用时：先向P1.i位输出高电平，使A点提升为高电平，此操作称为设置P1.i为输入线。若外设输入为1时A点为高电平，由BUFI读入总线后B点也为高电平；若外设输入为0时A点为低电平，由BUF1读入总线后B点也为低电平。 80C51单片微机的工作方式 复位方式 表2–6 特殊功能寄存器SFR的复位状态  图2–15 复位电路结构图 图2–16 复位电路 低功耗工作方式 图2–17 80C51单片微机低功耗方式的内部结构 表2–7 待机和掉电保护方式时引脚状态 表2–8 89C51闪速存储器的编程方式 图2–18 89C51的闪速存储器编程和校验 图2–19 89C51的闪速存储器的编程和校验  表2–9 89C51程序锁定位不同的编程状态及其特点  ? 对于片内具有EPROM型程序存储器的87C51(87C52) 和片内具有闪速存储器的89C51 (89C52) 、78E51 (78E52) 等单片机可以通过编程来修改程序存储器中的程序。 89C51内部有一个4KB的Flash PEROM。编程接口可接收高电压(12V) 或低电压(VCC) 的允许编程信号。低电压编程方式可以很方便的与89C51内的用户系统进行编程；而高压编程方式则可与通用的EPROM编程器兼容。对于这二种编程方式的芯片面上的型号和片内特征字节的内容不同。 ⒈ 闪速存储器编程方式? 表2-8列出了89C51闪速存储器的编程、校验、写锁定位等时的逻辑电平。 编程方式 P0口是一个多功能的8位口，可以字节访问也可位访问，其字节访问地址为80H，位访问地址为80H～87H。 ⒈ 位结构 P0口 图2－11 P0口 ? ? 工作过程： 当控制信号置1时，多路开关接通地址／数据输出端。 当地址／数据输出线置1时，上拉FET导通，反相器输出0，下拉FET截止，A点电位上拉，地址／数据输出线为1。 当地址／数据输出线置0时，上拉FET截止，反相器输出1，下拉FET导通，A点电位下拉，地址／数据输出线为0。 当控制信号置0时，多路开关接通输出锁存器的Q端，P0口的输出电路为漏极开路输出。 P0口作输出口，P0.i输出1，锁存器的Q端为0，下拉FET截止，这时P0.i为漏极开路输出；P0.i输出0，输出锁存器的Q端为1，下拉FET导通，P0.i输出低电平。 P0口作输入口，为了使P0.i能正确读入数据，必须先使P0.i置1。这样，下拉FET也截止，P0.i处于悬浮状态。A点的电平由外设的电平而定，通过输入缓冲器读入CPU。这时P0口相当于一个高阻抗的输入口。 注意：“读—修改—写”。例：ANL P0,A ⑴ 作I／O口使用 相当于一个真正的双向口：输出锁存、输入缓冲，但输入时需先将口置1；每根口线可以独立定义为输入或输出。它具有双向口的一切特点。 与其它口的区别是，输出时为漏极开路输出，与NMOS的电路接口时必须要用电阻上拉，才能有高电平输出；输入时为悬浮状态，为一个高阻抗的输入口。 ⑵ 作地址／数据复用总线用 此时P0口为一个准双向口。但是有上拉电阻，作数据输入时，口也