国立杨梅高级中学89学年第一学期第二次段考考试卷使用班级2.DOC

一、是非題：( A：○，B：×；每題2分，答錯到扣1分) (x ) 1.電晶體如工作於放大區則E、B間為逆向偏壓，B、C間為順向偏壓。 (0 ) 2.共射極放大器的輸出與輸入訊號反相180°。 (x ) 3.在P型JFET中，流經汲極的電流為電子流。 (x ) 4.電晶體中以基極層最薄，含雜質濃度最高。 (0 ) 5.電晶體三種組態中，以CC放大器輸出阻抗最低，CB放大器輸出阻抗最高。 (0 ) 6.電晶體CE放大器因具有很高的電流及電壓增益及最大的功率增益，故放大器一般都採用它。 (x ) 7.場效電晶體為雙極性電晶體，而普通電晶體為單極性電晶體。 (x ) 8.FET是單極性裝置，n通道FET的載流體為電洞。 (x ) 9.一般NPN電晶體都是由基極電壓來控制射極電流或集極電流，而場效電晶體(FET)則由閘源極電壓(VGS)來控制汲極電流。 (x )10.接合型場效電晶體比雙極性電晶體有較高輸入阻抗及較高雜音。 (0 )11.全波整流器的輸出波形為脈動的直流輸出，其脈動頻率為交流電源頻率的兩倍。 (0 )12.在半波整流電路中，輸出電壓所含的直流成分為0.318 Vm。 (0 )13.全波整流後輸出電壓的平均值為輸入交流電壓有效值的0.9倍。 (x )14.橋式整流電路，有一個二極體的PIV至少要為外加電壓峰值的2倍。 (x )15.全波整流器的效率較高，其輸出電壓的平均值，為峰值的0.707倍。 (x )16.二極體能做電壓放大的工作。 (0 )17.電壓調整百分比愈低，則穩壓效果愈佳，理想狀況下，電壓調整率為0%。 (0 )18.N倍壓整流器，一般使用N個二極體，N個電容。 (x )19.全波倍壓電路之漣波頻率與交流電源頻率相同。 (0 )20.在倍壓電路中，二極體之PIV值皆為2Vm。 二、選擇題(每題3分) (B) 1.若一電晶體的Ico值為20 nA，而其ICEO值為1μA 試由此估計此電晶體的β增益約為 (A) 10 (B) 50 (C) 100 (D) 1000 (E)以上皆非。 (C) 2.在電晶體各組態中，電壓增益與電流增益乘積最高的是 (A)共基極(B)共集極 (C)共射極 (D)兩級共集極並聯 (E) 以上皆非。 (C) 3.有一FET，gm = 50 ms , rd = 10 kΩ，則放大因數μ= (A) 50 (B) 10 (C) 500 (D) 5 ×106 (E) 以上皆非。 (D) 4.有一JFET，若夾止電壓Vp= -9 V , IDSS = 9 mA，求VGS在 – 6 V處的IDS值？(A) 0 mA (B) 6.6 mA (C) 4.59 mA (D) 1 mA (E) 以上皆非。 (D)5.JFET之工作原理是控制 (A) 通道中載子的濃度 (B) 通道之導電係數(C) 流過接面的電流 (D) 接面空乏區的厚度 (E) 以上皆非。 (D)6.P通道之FET之電荷載子是 (A)電子 (B)主載子為電子，副載子為電洞(C)主載子為電洞，副載子為電子 (D)電洞 (E) 以上皆非。 (B )7.如圖(1)所示之電路，在VGS = 0時，測出的IDS = 10 mA，當VGS增至5V時，IDS = 0，求此JFET在VGS = -2 V時的IDS值 ? (A) 0 (B) 3.6 mA (C) 6.4 mA (D) 10 mA (E) 以上皆非。 圖(1) 圖(2) 圖(3) (A )8.如圖(2)所示，若場效電晶體參數rd = 30kΩ，gm = 2/3 ms，則此電路之電壓增益(在低頻時)為若干 ? (A) -5 (B) 5 (C) -15 (D) 15 (E) 以上皆非。 (B)9.如圖(3)所示之電路，若rd =20 kΩ，gm = 2 ms，則其電壓增益Av約為若干 ? (A) 0 (B) -20 (C) –13.3 (D) –26.6 (E) 以上皆非。 (A)10.使用一交直流電表測量一濾波電路的輸出訊號，獲得25V直流電壓及2V峰值之交流電壓，則漣波百分比為 (A) 5.6% (B) 9.5% (C) 11.3% (D) 16% (E) 以上皆非。 (C)11.某橋式整流器，輸出200伏特直流電壓，則二極體所需的逆向峰值電壓為 (A) l00伏特 (B) 200伏特 (C) 314伏特 (D) 628伏特(E) 以上皆非。 (E)12.一電源供應器，無負載時為10伏特，滿載時為8伏特，其電壓調整率為(A) -12.5% (B) 12.5% (C) -11.1% (D) 11.1% (E) 以上皆非。 (C)13.100Vrms的電壓經5：1的變壓器