电流感应磁化翻转效应的改进的系综模型! - 物理学报.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 *$ ##, ， ， ， QB4 )*$ PB ) R27=2ES ##, （ ） ###0+,#J##,J*$ # J#%$$0#’ K-LK MNOAF-K AFPF-K !##, -637 ) M6S; ) AB? ) ############################################################### 电流感应磁化翻转效应的改进的系综模型! ! 张 磊 胡九宁 任 敏 董 浩 邓 宁 陈培毅 （清华大学微电子学研究所，北京 ###$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ##$ % ’ ##$ ( 运用宏观双通道扩散模型研究了赝自旋阀结构中的自旋相关输运过程，考虑到磁化强度矢量的横向分量的影 响，建立了自由层磁化强度矢量的动力学方程，利用自旋流连续和化学势差连续作为边界条件 理论计算求解了电 ) 流感应磁化翻转效应中的临界电流，解释了铁磁层和非磁层电导率匹配问题和纵向场对电流感应磁化翻转效应中 临界电流的影响) 关键词：赝自旋阀，电导率匹配，自旋转移扭矩，电流感应磁化翻转效应 ： ， !## (* (+’# 果符合) @ 引 言 @ 磁动力学方程 ［］ ［］ A4B7?59C;D3 和 .9E89E 于 ,,’ 年分别提出的 本文所研究的赝自旋阀结构如图 所示 多层 一种新的物理效应———电流感应磁化翻转（ ) ?=EE97 ， ）效应，即在不需要外 膜横向尺度在几十到几百纳米之间，顶电极和底电 37=?9 128793? ;C3?6378 -FGA 加磁场的情况下，当垂直注入纳米尺度赝自旋阀结 极为非磁性金属膜) 自由层和固定层为磁性金属膜) 构中的电流大小超过一定阈值（临界电流）之后，铁 由于材料和（或）厚度的不同，固定层的磁化方向被 钉扎，而自由层的磁化方向可以改变 隔离层为非磁 磁层的磁化方向可以由注入的自旋极化电流引起翻 ) 转) 此后电流感应磁化翻转效应在实验和理论上得 金属) 通过选择隔离层的厚度，可以使铁磁层间的耦 ［— ］ + , 合作用最弱 设自由层易磁轴方向为 方向，多层 到了广泛的关注 ) 由于电流感应磁化翻转效应 ) !