常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶 - Journal of Semiconductors.PDF

第 26 卷 　第 3 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 3 2005 年 3 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Mar . ,2005 常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶 赵玲利 　李海江 　王守国　叶甜春 ( 中国科学院微电子研究所 , 北京 　1000 10) 摘要 : 介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置 ,利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电 特性 ,利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度 ,得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特 性. 利用该等离子体装置在大气压下对 A Z99 18 光刻胶进行了干法刻蚀实验 ,用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的 效果 ,研究了放电等离子体功率 以及衬底温度对刻蚀速率的影响 ,在放 电功率为 300W 时 , 得到刻蚀速率接近 500nm/ min . 关键词 : 大气压 ; 冷等离子体 ; 光刻胶 ; 刻蚀 PACC : 5275 ; 5280 ; 94 10 F 中图分类号 : TN 3057 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 0306 1305 方去掉 ,而需要留下的胶要保持完好 ,显然采用湿法 1 　引言 刻蚀就难以满足这个要求. 近几年 , 以美国L O S Al amo s 国家实验室为代表的新型常压低温冷等离子 在微电子器件的制造过程中 ,刻蚀光刻胶 占有 体喷枪设备的研制成功[ 6～10 ] ,大大提高了设备的放 很重要的地位 ,根据统计有三分之一的工艺都要用 电功率和束流喷口的直径 ,这将对微电子制造过程 到光刻胶刻蚀. 目前 , 光刻胶的刻蚀主要有两种方 中刻蚀光刻胶的工艺带来新的变革. ( ) 法 :第一种是湿法 :如用 3 号液 硫酸 ∶双氧水 ∶水 本文介绍我们最近研制的一种新型常压射频激 加热 ;用丙酮浸泡以及使用专用的光刻胶刻蚀溶液 励低温冷等离子体刻蚀胶装置 ,该等离子体装置可 (remover) 和其他一些有机溶剂刻蚀等. 到目前为止 在常压下实现稳定均匀放电,能喷射出低温冷等离 尽管湿法刻蚀仍为普遍采用的方法 ,但湿法刻蚀光 子体束流 ,与日本 Koinuma 教授所研制的等离子体 ( ) 刻胶存在难以控制 、刻蚀不彻底 总有残胶 、需要反 设备比较 ,该等离子体设备的喷口直径增加了 5 倍 , 复刻蚀等缺点 ,尤其是湿法刻蚀所带来的废酸池的 放电功率提高到 200W , 因此可以实现对光刻胶的 处理和大量的去离子水的使用 ,给环境保护和节约 较大面积刻蚀. 此外 , 我们所研制的等离子体发生 能源造成了极大的困难. 第二种刻蚀胶的方法是等 器 ,载入气体不但可以采用氦气 ,而且还可以采用氩 离子体干法刻蚀 ,它是利用氧在等离子体中所产生 气 ,大大降低了装置的运行成本. 我们分别用电探针 的活性氧与光刻胶发生反应生成二氧化碳和水 ,使 和热电耦测量了该等离子体装置的电特性和温度特 光刻胶被去除. 干法刻蚀胶能对高温烘烤过的胶 ,显 性 ,并以 A Z99 18 光刻胶为实验样品进行了干法刻 影后的底胶 , 以及铝电极和