反应溅射CN薄膜的场发射特性.pdfVIP

第 卷 增刊 半 导 体 学 报 ２７ 犞狅犾．２７ 犛狌 犾犲犿犲狀狋 　 　 　 　 　 　 狆狆 年 月 ， ２００６ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犇犲犮．２００６ 反应溅射犆犖薄膜的场发射特性  林洪峰 谢二庆 张 军 颜小琴 陈支勇 　 　 　 　 　 （兰州大学物理科学与技术学院，兰州 ７３００００） 　 摘要：利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮（ ）薄膜 原子力显微镜（ ）研究结果表明， 薄膜 犆犖 ． 犃犉犕 犆犖 ２ 表面覆盖有纳米 锥状物，所制备的 薄膜具有良好的场发射特性，最大发射电流密度达到 ／ ，并 犆犖 犆犖 ～１０犿犃 犮犿 且未出现电流饱和现象 薄膜表面的 纳米锥有利于薄膜的场发射，重复测量结果表明， 薄膜的发射特性得 ． 犆犖 犆犖 到改善和提高． 关键词：反应溅射； 薄膜；场发射 犆犖 ： ； ； 犘犃犆犆 ５２７０犌 ７９００ ７９７０ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犗４８４ 犃 ０２５３００２１１０３ 　　　 　　　 用 （ ）对样品表面形貌进行了 犃犉犕 犛犘犕９５００犑 引言 表征 采用平板二极式结构研究了 薄膜的场发 １ ． 犆犖 　 射特性 场发射测量在 －６ 的真空条件下进 ． １０ 犜狅狉狉 大量的研究表明，碳基材料（包括非晶碳、金刚 行． 石、类金刚石以及碳纳米管等）通常具有较低的阈值 电场和较高的场发射电流密度的特性，在未来场发 ３ 结果与讨论