同轴式反射三极管高功率微波源.pdfVIP

　第11卷　第1期 强 激 光 与 粒 子 束 . 11, . 1　 V o l N o 　1999年2月 H IGH POW ER LA SER AND PA R T ICL E BEAM S Feb. , 1999　 同轴式反射三极管高功率微波源 胡红庆　杨中海 ( 电子科技大学高能电子学研究所, 成都610054) 　　摘　要　运用两维半、全电磁模型的M A G IC 程序对同轴式反射三极管中的虚阴极振荡 现象进行了粒子模拟研究。模拟结果表明, 同轴式反射三极管的辐射主要由在实虚阴极之间 来回振荡的反射电子提供, 得到的微波瞬时峰值输出功率可达兆瓦级, 瞬时峰值效率在1% 左 右, 提高效率的方法是在腔中央加一个收集极。 　　关键词　同轴式反射三极管　虚阴极　粒子模拟 　　中图分类号　　TN 321. 5 　　随着强流脉冲技术在效应模拟、惯性约束聚变以及其它高能量密度物理方面的发展, 产生 了一些主要依赖强流相对论束流的器件, 如相对论速调管、虚阴极振荡器等。与其它微波源相 比, 通常被称为 vircato r 的虚阴极振荡器具有物理概念和结构简单等特点, 微波辐射的峰值功 率可达 GW 数量级, 且调谐方便。因此这类器件一直是人们研究的热点[ 1～ 4 ] 。同时, 又由于它的 ( ) 效率极低 一般只有1% 以及宽带等缺点, 因而制约着它的进一步发展。近年来, 利用谐振腔技 [ 5 ] 术实现与虚阴极之间的锁频、锁相 , 以及Kw an 和D avis 提出的减少反射电子影响的 red [ 6 ] itron 结构等 , 都是为了减小带宽, 增加微波输出的效率。 　　目前国内外研究的重点是一种新型的虚阴极振荡器件 同轴式反射三极管 (CR TV ) [ 7 ]。这种类型器件中的虚阴极是由径向收敛的电子束形成的, 无需外加引导磁场, 可 以工作在极高的工作电流上, 因此可望得到较高的输出功率及效率。本文对CR TV 器件进行 了P IC 模拟研究, 从中得到了一些有意义的结论。 1　物理模型及模拟方法 　　本文研究了具有负脉冲阴极及接地阳极这种结构的同轴式反射三极管, 如图1所示。在模 拟中将 T EM 波从同轴真空传输线的右端注入, 设脉冲上升的前沿时间为1n s。当径向场发射 7 二极管中的电场超过2 ×10 时, 在阴极发射面产生爆炸式发射, 径向电子束在二极管加 V m 速电场的作用下, 通过一阳极薄膜, 进入到同轴漂移空间。由于空间电荷效应的影响, 在此区域 形成一负的势阱, 阻止束流的传输。当注入束流大于空间电荷限制电流时, 将会在阳极薄膜的 附近形成虚阴极。在此条件下, 大多数电子被反射回二极管区域, 而一些电子则继续向前运动。 　　在 CR TV 产生高功率微波输出的物理过程中, 电子和场主要在径向相互作用, 因而可以 忽略当电子在 方向的运动, 因此这可以简化为一个二维问题。为此我们采用一个二维半全电 磁模型的粒子模拟编码程序M A G IC , 对该问题进行了 P IC 模拟研究。 　　 采用有限实域差分的方法, 自洽地联立求解 方程组和 运动方 M A G IC M axw el L o ren tz 程。在模拟计算中考虑了粒