SC3356R25中文资料(NEC)中文数据手册「EasyDatasheet 矽搜」.pdfVIP

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn 数据表数据表 NPN硅硅RF晶体管晶体管 2SC3356 NPN外延硅晶体管外延硅晶体管RF 微波低噪声放大微波低噪声放大 3针针minimold 特征特征 •低噪声和高增益：NF为1.1 dB典型值,G a = 11 dB典型值.用V CE = 10 V, I C = 7毫安,F = 1千兆赫 •高功率增益：MAG = 13 dB典型值.用V CE = 10 V, I C = 20毫安,F = 1千兆赫 订购信息订购信息 零件号 数量 供给方式 2SC3356 50只（不卷） •8mm宽压花录音 2SC3356-T1B 3千件/卷 •引脚3 （集电极）面带穿孔方 备注备注 要订购评价样品,请联系您最近销售部门. 单位样品数量为50个. 绝对最大额定值（绝对最大额定值（T A = +25°C) 参数 符号 额定值 单元 集电极基极电压 V 20 V 集电极到发射极电压 V 12 V 发射器基极电压 V 3.0 V 集电极电流 I 100 mA 总功耗 P 200 mW 结温 T 150 °C 储存温度 T 65 to +150 °C 注意注意 自由空气