EMP模拟器用GTEM小室接头的优化设计 Optimization Design of GTEM Cell Adapter for an EMP Simulator.pdfVIP

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EMP模拟器用GTEM小室接头的优化设计 Optimization Design of GTEM Cell Adapter for an EMP Simulator

第35卷第9期 高电压技术 V01.35NO.9 ·2102·2009年9月30日 Engineering HighVoltage Sep.30,2009 EMP模拟器用GTEM小室接头的优化设计 陈炜峰1,曹永娟1,周香2 (1.南京信息工程大学,南京210044;2.东南大学电磁兼容研究室,南京210096) 摘要:为了提高GTEM传输室的耐高压能力。并保证良好的传输特性,对其馈电接头进行了优化设计。采用三 维时域有限差分法(FDTD)建模分析,计算并讨论r一种常规小室接头的场分布和击穿电压;加聚田氟乙烯绝缘护 套以提高耐压;用电磁场计算软件HFSS扫频计算此接头的驻波比特性并对斧形块和电缆连接器的结构尺寸进行 了参数优化。计算分析表明接头圆形同轴段的最大场强为方形同轴段的3倍以上;瞬态脉冲输入时,加聚四氟乙 烯绝缘护套后能承受的最大场强可提高到54kV/mm;接头的驻波比1.3。测试表明,在30MHz到2.4GHz之 间,GTEM小室驻波比都1.6,模拟器产生的脉冲波形良好,50kV高压下未击穿,接头满足工程应用要求。 关键词:吉赫兹横电磁波室;高电压;接头;电磁脉冲;模拟器;优化设计 中图分类号:TM831 文献标志码:A 文章编号:1003-6520(2009)09—2102—06 ofGTEMCell foranEMPSimulator OptimizationDesign Adapter CHEN Wei—fen91。CAoYong—juanl,ZHOUXian92 of ofInformation (1.CollegeInformation&Control,NanjingUniversity 210044,China;2.EMCI。ab,Southeast 210096,China) Nanjing University,Nanjing for simulatormustbe volt— transverse pulse Abstract:Gigahertzelectromagnetic(GTEM)cellselectromagnetic high andfavorabletransfer three-dimensionalfinite-difference resistant characteristic.A age sentationoftheGTEM was fieldcontourand wave adapterdescribed,The voltagestanding aftertheresults tothefield breakdownwasdiscussed.A presented calculation.Accordingbehavior,the strength sizeof GTEM foran was structureand highvoltage adapterelectromagneticpulseI EM

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