MOSFET与IGBT组合器件在高频开关电源中的应用及仿真 Application and simulation of MOSFET and IGBT combined device in high-frequency SMPS.pdfVIP

研究与试验 湖南电力 第26卷／2006年第1期 的应用及仿真 彭刚毅，吴军昌 (湖南大学电-％4信息学院，湖南长沙410006) 摘 要：介绍了MOSFET和IGBT的工作原理和特性，分析了它们的组合(并联)应用 效果，并将之运用于DC--DC奎桥变换器中；介绍了一款仿真软件Simplorer，通过它来 进行仿真研究，并对仿真结果进行分析。 关键词：高频开关电源；DC--DC变换器；Simplorer 中图分类号：TM44文献标识码：／、 文章编号：1008—0198(2006)01—0008—03 ofMOSFETandIGBT andsimulation combined Application devicein SMPS high—frequency PENG Jun—chang Gang—yi，WU (Hunan d10006，China) University，Changsha characteristicsofMOSFETand theeffectof Abstract：Fhisintrodueesthework and IGBT，analyzes paper principle inDC—DCfull convcrl[erAsimulationsoftnamed their connection．andusesthecombineddevice bridge parallel resultis isusedforsimulationandthesimulationanalyzed． Simplorer study SMPS；DCDCeonvc2rteflSimplore Keywords：high{requency 通管耗和截止管耗，提高了效率和可靠性。图1中 1前言 G，，G：为2管的栅极，2个栅极送出的控制信号如 早期的开关整流器采用的半导体器件主要有双 极型晶体管和场效应晶体管(MOSFET)。双极型晶 I) 体管导通电阻低，损耗小，技术成熟，适合小功率 开关电源使用。场效应晶体管开关速度快，驱动电 路简单，是目前较理想的开关元件，在开关电源中 应用较广。但MOSFET导通电阻较大，通过大电流 时导通压降也较大，影响整机效率。IGBT是一种绝 缘型双极性晶体管，为了克服以上缺点，将其与 图1 MOSFET和IGBT并联图 MOSFET并联使用，可以取得较理想的效果。IGB’I、 的输入电路特性与MOSFET相同，输出电路特性与 图2中的(a)，(b)。当2管并联时，在t，～I。时问 双极型晶体管相同。