ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶界对残压的影响 The Influence of Grainboundary on Residual Voltage of ZnO-Bi2O3 Based Varistor Ceramics.pdfVIP

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2017-08-02 发布于上海
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ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶界对残压的影响 The Influence of Grainboundary on Residual Voltage of ZnO-Bi2O3 Based Varistor Ceramics

No．1 2009年第1期(总第227期) off．瓷避霄器 2009(Ser．No．227) 2009年2月 Insulatorsand Arresters Feb．2009 Surge 文章编号：1003—8337(2009)01—0030—03 ZnO—Bi203系压敏陶瓷晶界对残压的影响成鹏飞L2。李盛涛1。王玉平3，朱斌3 (1．西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安710049；2．西安工程大学理学院，西安710048；3。西安电瓷研究所，西安710077) 摘要：zno压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平，针对残压的形成机制尚不清楚。测量了传统工艺制备的ZnO—Bi：O，系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的伏安特性．通过对中电流区和大电流区伏安特性的数据拟合发现，中电流区晶界电压降与电流密度之间符合隧道电流导电机制．且当进入大电流区时该晶界击穿电压最终达到一稳定值。计算表明．晶界击穿电压所引起的残压占总残压的90％左右，因此降低残压应主要考虑降低晶界上的击穿电压。关键词：ZnO压敏陶瓷；伏安特性；残压中图分类号：TM28 文献标识码：A TheInfluenceof onResidual of ZnO-Bi203 GrainboundaryVoltage BasedVaristorCeramics CHENG Bin3 Yu-pin93,ZHU Peng-fei匕LISheng-ta01，WANG f1．State ofElectricalInsulationandPower Xi’an University， KeyLaboratory EquipmentJiaotong Xi’an 710048，China； 710049，China；2．Xi’allPolytechnicUniversity，Xi’an 3．Xi7anEleetroceramicResearch 7an Institute，Xi710077，China) of determinesits level，Whilethe Abstract：而eresidual ZnOvaristors voltage protection forming based ceramicsfabricated mechanismisunknownSOfar，theI—VcharacteristicsofZnO—Bi203varistor traditional in ofsmall currentanda mediancurrentweremea’ by