ZnO基紫外光透明导电薄膜的研究进展 Research Progress on ZnO Base UV-Transparent Conducting Thin Films.pdfVIP

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2017-08-02 发布于上海
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ZnO基紫外光透明导电薄膜的研究进展 Research Progress on ZnO Base UV-Transparent Conducting Thin Films

No．2 电工材料2009 黄竹等：ZnO基紫外光透明导电薄膜的研究进展 41 ZnO基紫外光透明导电薄膜的研究进展黄竹．许积文 (桂林电子科技大学信息材料科学与工程系。广西桂林541004) 摘要：ZnO是一种宽禁带半导体材料，通过阳离子Al 3+掺杂可以改善其导电性，而且通过掺杂MgO进行“能带剪裁”可以实现从紫外到可见光范围内的完全透明。因此，ZnO基紫外光透明导电薄膜近年来逐渐成为半导体光电材料与器件的研究热点之一。本文介绍了紫外光透明导电薄膜Mg。ZnhO：AI的基本特性、制备方法及研究进展。关键词：Mg，Zn．．，O：Al薄膜；紫外光透明导电；宽禁带；结构和光电性能中图分类号：TM23；TN304文献标志码：A 文章编号：1671—8887(2009)02—0041—06 Research onZnOBase Progress ThinFilms Conducting HUANGZhu。XUJi·wen MaterialScienceand (DepartmentofInformation Engineering。GuilinUniversity Electronic of 541004，China) Technology，Guilin Abstract：Asa semiconductor ZnO enhancethe wide-band-gap material。A13+-dopedmay electric cancuttheband whichactualizetheabsolute conductivity，theMgO—doped gap fromUVtovisible base transparence light．Therefore。ZnOUV-transparentconducting thinfilmshaveturnedintothefocusofthe semiconductormaterialsfor wide··band--gap futureelectronicdevices．Thefabrication structuraland techniques， optoelectronicpro- and of thinfilmsaresummarizedinthis 1．，O：Al pertiespotentialapplicationsMg，Zn arealsodiscussed． paper．Thedevelopmentprospects ， thin JZn1．J0：AI band Keywords：Mg film；UV-transparent