硅V型槽的制作工艺.PDF

硅V 型槽的制作工艺 北京瑞合航天电子设备有限公司 概述 随着光通讯的迅猛发展，光纤到户已经实现。 光通讯网络中人们大量使用平面光波导器件PLC， 并通过光纤阵列与平面光波导器件精确对准，这对 光纤阵列中最重要的基本元件——精密V型槽的制 作提出了很高要求。 按照材料分类，精密V型槽有陶瓷V型槽、玻 璃V型槽和硅V型槽三种。 按照加工方法分类，有精密机械加工方法和微 机械加工方法。陶瓷V型槽、玻璃V型槽采用精密 机械加工方法，硅V型槽采用微机械加工方法。 概述 精密机械加工方法是在精密机床上用金刚石刀 具对工件进行精研、抛光。由于存在刀具磨损，需 要在加工过程中对刀具进行在线检测、在线修复。 精密V型槽的周期精度达到亚微米量级，因此导致 机床和刀具的精度要求达到亚微米乃至纳米量级。 优点：陶瓷、玻璃、单晶硅都可加工。陶瓷V 型槽强度高、耐磨，主要用在光纤熔接机上。玻璃 V型槽透明，放光纤时便于在线观察，主要用在光 纤阵列中。 缺点：设备费很贵，维护费也很高。此外，由 于是单件加工，大批量时需要多台设备同时工作。 概述 微机械加工方法有体硅加工方法、表面硅加工 方法、LIGA加工方法等，是微机电系统（MEMS ） 中最重要、最基本的工艺。硅V型槽用的是体硅加 工方法，这是MEMS工艺中最成熟的方法，也是目 前实用化MEMS元器件中使用最广泛的方法。该方 法利用单晶硅的各向异性腐蚀特性，通过晶面自然 解理形成V型槽，因此只适用于单晶硅。 硅V型槽侧壁光滑、线条笔直、一致性好、精 度高，无精密机械加工的累计误差。由于采用与微 电子类似的并行生产工艺，保证了高品质、大批量、 低成本。 概述 硅V型槽的三维几何尺寸精度高，非常适合于 放置光纤并精密定位，能和激光器、探测器以及其 它光电子器件的间隔严格匹配，大大减少了光电子 器件和光纤耦合对准的损耗。硅V型槽广泛应用在 光通讯领域，例如光纤阵列等器件中，虽然其不透 明，但若用透明玻璃做盖板，也可用于在线观察。 硅V型槽传热性能好，光纤可以承受很大激光 功率，因此在大功率激光器领域具有不可替代的作 用，例如用半导体激光器阵列做激光加工机床或者 用作大功率固态激光器的泵浦源，以及激光印刷等。 硅V型槽的制作流程图 硅片制备 薄膜生长 光刻 薄膜刻蚀 湿法腐蚀 划片 一、硅片制备工艺 滚磨 将单晶硅棒研磨成具有精确直径,并标记晶轴方向 切片 把单晶硅棒切成所需厚度的硅片 磨片 用研磨液将硅片研磨成具有规定的表面平整度 倒角 用成型砂轮磨削硅片边缘，直到规定形状 减薄腐蚀 用化学腐蚀液除去硅片表面的损伤层和沾污层 抛光 用化学机械抛光获得镜面平整的硅片 二、薄膜生长工艺 硅片表面生长一层薄膜，用作各向异性腐蚀时保 护图形的掩模，通常为二氧化硅和/或氮化硅 二氧化硅主要是热氧化，也可以用低压化学气相 沉积 （LPCVD）或者等离子体增强化学气相沉积 （PECVD），氮化硅主要是低压化学气相沉积 热氧化 干氧——生长慢，膜层薄、致密 湿氧——生长快，膜层厚、疏松 干-湿-干——综合上述优点，性能好 二、薄膜生长工艺 低压化学气相沉积 低压，摄氏600~800度，热分解或化学反应 输运控制：低压，大自由程，表面反应 SiO ：800度，SiH +O ，或TEOS热分解 2 4 2 Si N ：700度，SiH Cl +NH ，SiH +NH 3 4 2 2 3 4 3 等离子体增强化学气相沉积 在化学气相沉积中加入等离子体，增强沉积速率 优点：温度较低，生长快 缺点：设备贵，控制复