耿氏管的合金金属及正面反面工艺的研究 - 红外与激光工程.PDF

第42 卷第5 期 红外与激光工程 2013 年5 月 Vol.42 No.5 Infrared and Laser Engineering May 2013 耿氏管的合金金属及正面反面工艺的研究 白 阳，贾 锐，刘新宇，武德起，金 智 ( 中国科学院微电子研究所，北京 100029) 摘 要 介绍了一种实现低成本、高功率、高散热性能耿氏管的工艺制备流程，利用分子束外延生长 + ，在 技术(MBE)在高掺杂的InP 衬底上生长n n 型的一致性掺杂外延结构 外延结构正面利用电子束蒸 发Ge/Au/ Ni/Au 作为器件阴极和电镀金制备作为散热层，背面通过化学湿法腐蚀形成台面(MESA) 。 在不同的温度下进行了退火对比实验，研究了阴极合金形成良好欧姆接触的温度条件。结果表明：退 火温度为450 益时形成的金属电极的接触效果最好。关于耿氏管的正面反面制备工艺简便易行, 利用 Ge/Au/ Ni/Au 制备金属电极得到了良好的欧姆接触性能，用氯基溶液进行了湿法腐蚀实验得到了较 好的垂直台面(MESA) 。该制备方法有望实现优良性能的耿氏器件。 ； ； ； ； 关键词 耿氏管 太赫兹 磷化铟 退火 合金金属 中图分类号 O73 文献标志码 A 文章编号 1007-2276(2013)05-1265-04 Investigation of the metallization of Gunn diode and process Bai Yang, J ia Rui, Liu Xinyu, Wu Deqi, J in Zhi (The Institute of Microelectronic , Chinese Academy of Sciences , Beij ing 100029, China) Abstract: A practical heat sink fabrication process for low cost , high power and millimeter wave devices was presented . The uniformly doping epitaxial structure (n n +) was grown by molecular beam epitaxy (MBE) on heavily doped n ++ InP substrate . Also a batch fabrication technique for mesas with gold heat sink was proposed . A technology was developed to form ohmic contacts to indium phosphide Gunn diodes , and the metallization of cathode and anode was fabricated by Ge/Au/ Ni/Au evaporation, and was annealed at different temperature . Results show that the best ohmic contact is formed at 450 益 . The complete fabrication procedure is described to realize the Gunn devices for low cost mill