N＋多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究.PDF

维普资讯 第 27卷第 1期 电 子 器 件 V01．27．No．1 2004年 3月 ChineseJoumalofElectronDevices March．20o4 TheResearchofFully．．DepletedThin-F·ilm SOICMOSDevices andCircuitswithN +PolyGate IdANJun，HA1Chao-he，HANZheng-sheng，ZHAOHong-chen，YANGRong (Institute roe如c ∞ofChineseAcademyofSciences，Bejiing100029，China) Abstract： UsingSIMOX substrate，fully．depletedthin—film SOICMOSdevicesandcircuitsareinvestigated．Thepro— cessofthin．film fullydepletedSOICMOSdevicesandcircuitswithN+PolyGatearesuccessfullydeveloped． epedor— manceofdevicesandcircuitsareexcellent．111edrivecurrentofnMOSorpMOSisstrong，nadtheirleakagecurrentvery weak．111epropagationdelayofeverystageofinthis101stageringoscillatorisonly50．5pswith3V supply． Keywords： SOI；SIMOX；fully—depleted；CMOS EEACC： 2560：2570D N+多晶硅栅薄膜全耗尽S0ICMOS器件与电路的研究 连 军，海潮和，韩郑生，赵洪辰，杨 荣 (中国科学院微 电子研究所 ， 北京 100029) 摘要 ：选用 SIMOX(SeparationbyImplantationofOxygen)$~底材料 ，对全耗尽 SOICMOS工艺进行了研究 ，开发出了N+ 多晶硅栅全耗尽 SOICMOS器件及 电路工艺，获得了性能 良好的器件和电路。nMOS和 pMOS的驱动电流都 比较大 ， 且泄漏电流很小，在工作 电压为 3V时，1．2gml01级环振的单级延迟仅为 50．5ps。 关键词：SOI；SIMOX；全耗尽；CMOS 中图分类号：TN386；TN405 文献标识码 ：A 文章编号：1005—949o(2004)O1—0069—03 近年来，随着微电子技术的发展，器件特征尺寸 “kink”效应。美国Bell实验室的H．J．Leamy将这种 越来越小，电路的速度越来越快，体硅器件内部 pn 接近理想的器件结构称为下一代高速 CMOS技 结之间以及器件与器件之间通过衬底的相互作用越 术 ；美 国 SEMATECH公 司的 P．K．Vasudev也预 来越严重，出现了一系列材料、器件物理、器件结构 言，薄膜全耗尽 SOI技术将成为 21世纪初期硅集成 和工艺技术等方面的新问题 ，使得亚 0．1ttm硅集成 电路技术的主流工艺 ；IBM公司的 G．G．Shahidi 电路的集成度 、可靠性以及 电路 的性能价格 比受到 也认为 ，当器件特征尺寸小于 0．2ttm时，全耗尽 影响。全耗尽 SOICMOS器件和电路有许多优点：寄 SOI器件是高性能逻辑电路的最佳选择 。 生电容小；速度更快 ；功耗低 ；工艺简单 ；驱动电流 目前，国内外关于高速、低功耗 SOI器件和电路 大；无闩锁效应 ；亚 阈值斜率好 ；能较好 的抑制短沟 的研究和报