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第七章 半导体存储器 7.1 概述 二、分类 从存、取功能上 从工艺上 双极型和MOS型。 7.2 ROM 四、用MOS管构成的存储矩阵 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2，改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7.3 随机存储器RAM 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理。 二、字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 二、用ROM实现下列组合逻辑函数 总结: * * 　　存储器的存储媒介有多种，应用范围也非常广泛。 软磁盘 磁带 硬盘 内存条 光盘 优盘 数码相机用存储卡 一、定义 能存储大量二值信息的半导体器件。存储容量和存取速度是衡量存储器性能的重要指标。 静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM) 掩模ROM、 可编程ROM(PROM)、 可擦除的可编程ROM(EPROM) 分类 在正常工作状态下，可写可读；断电后，数据不能保存。 在正常工作状态下，只能读，不能写；断电后，数据能保存。 特点 随机存储器(RAM) 只读存储器(ROM) 7.2.1 掩模ROM 一、结构和特点 三态控制 地址译码器 存储矩阵 输出缓冲器 地址输入 数据输出 ROM 的电路结构框图 掩模ROM的特点： 出厂时存储的数据已经固定，不能更改，适合大量生产，简单，便宜，非易失性。 存储矩阵由许多存储单元排列而成。存储单元可以用二极管构成，也可以用双极型三极管或MOS管构成。每个单元可以存储 1 位二值代码(0 或 1)。每一个或一组存储单元有一个对应的地址代码。 地址译码器的作用是将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器。 输出缓冲器有两个作用，一是能提高存储器的带负载能力，二是实现对输出状态的三态控制，以便与系统的总线连接。 二、举例 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 二、举例 接入二极管时相当于存1，没有接入时相当于存0。交叉点的数目就是存储单元数。 存储容量： 存储器包含基本存储单元的总数。一个基本存储单元能存储１位(Bit)的信息，即一个0或一个1。 存储器的读写操作是以字为单位的，每一个字可包含多个位。 “字数×位数” 或 2n×m位，n 为地址线，m 为输出线。 字数:1K=210=1024 字长:每次可以读(写)二值码的个数 总容量 例如： 容量=1K×4(位)= 4096(位) 1 byte(字节) = 8 bits(位) 六管N沟道增强型MOS管 T5 和T6 是门控管， 作模拟开关。 T7 和T8 是每一列存储单元公用的两个门控管，用于和读/写缓冲放大器之间的连接。 T1 ~T4 组成基本RS 触发器，用于记忆1位 二值代码。 7.4 存储器容量的扩展 一、 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 RAM I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 A2 A3 R/W CS RAM I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 A0 A1 A2 A3 R/W CS CS R/W A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 例： 将两片16×4位RAM扩展为16×8位RAM (I) (II) 一、 位扩展方式 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM 二、字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 1024 x 8 RAM 例：用四片256 x 8位→1024 x