低频磁屏蔽实践.PDF

低 频 电 磁 屏 蔽 实 践 张承 张承青F FEI 公司（上海） 内容摘要： 低频电磁屏蔽机理讨论及计算方法推导；低频电磁屏蔽与其它屏蔽的差异比较；实际工 作中的注意事项 关键词： 低频电磁屏蔽，屏蔽体，磁路并联旁路分流，开口设计，常见谬误 一．前言 低频电磁干扰对于电子显微镜和电子束曝光等仪器设备具有强烈的干扰作用，使得这类 仪器设备不能正常工作，或者不能发挥应有的功能和作用。怎样科学有效地改善低频电磁环 境，成为一个日益严峻的现实问题。 许多专业文献在分析低频电磁屏蔽机理的机理时沿用了中高频电磁屏蔽概念和计算方 法，致使计算和设计与实际结果偏差很大。有些中高频电磁屏蔽理念被盲目照搬到低频领域， 造成许多误解和错误。 相对于静电屏蔽或中高频电磁屏蔽而言，消除或减少低频电磁干扰的难度更大。在设 -4 计中高频电磁屏蔽时，要衰减80dB （10 ）是轻而易举的事；但是做一个低频电磁屏蔽时， 能够把干扰减少到原来的20%往往就可以满足使用要求，要把干扰减少到原来强度的1%以下 是相当困难的。 凡是有电源的地方、有用电设备的地方、几百米内有高压电线的地方、几十米内有地 下电缆的地方，甚至只有金属管道和金属梁架的地方，都可能有高达数十毫高斯的低频电磁 干扰。低频电磁干扰的强度变化常常无规律可循，短时间内就会有相当大的上下幅度波动； 低频电磁干扰的来源往往难以确定，这样就更增加了屏蔽设计的难度。 3 本文重点讨论屏蔽体内体积为40～120m ，屏蔽前磁场强度在0.5～50mGauss p-p(毫高 斯 峰-峰值) 范围的低频 （0.1Hz～200Hz）电磁场屏蔽的机理和实际设计施工应用。 在本文讨论的情况下，导磁材料可能被电磁干扰的直流分量磁化，但不会饱和；低于 0.3mGauss p-p 的磁场认为可以忽略不计；其它频率的磁场以直流或中高频磁场泛指。 二．低频电磁屏蔽与其它屏蔽的差异比较 1．低频电磁场 根据电磁波传输的基本原理，在频率很低的时候，趋肤效应、磁滞损耗以及反射损耗 都很小，低频电磁波的能量基本由磁场能量构成。所以这时我们所要屏蔽的应该是电磁波的 磁场分量。 屏蔽低频 （如工频）电磁干扰的基本原理是磁路并联旁路分流。通过使用导磁材料（如 低碳钢、硅钢等）提供磁旁路来降低屏蔽体内部的磁通密度。同时尽量增大涡流损耗，使一 部分能量转化为热能消耗掉。 导电率高而导磁率低的材料（如铜、铝等）对电磁波的磁场分量几乎没有屏蔽作用。 屏蔽材料越厚则磁阻越小、涡流损耗越大，屏蔽效果越好。 2．准直流磁场 （near DC，又称为超低频磁场） 准直流磁场一般是指含有交流成分的、频率在0.1Hz～2Hz 之间的脉动直流磁场。此类 电磁干扰多数是邻近 （几百米内）地铁、轻轨以及火车线路由线路馈电电流产生的，也有少 数是由附近 （几十米内）较大功率（几十千瓦）的用电设备产生的。较强的准直流磁场也会 对电子显微镜有所干扰。 3．直流磁场 当低频电磁场频率降低至0Hz 时，低频电磁场转变为直流磁场。磁化、磁饱和、无磁滞 损耗、无涡流损耗等等，使直流磁场的屏蔽比低频电磁场屏蔽更加困难。一般选择尽量避开 强直流磁场干扰源。在条件允许的情况下，也可以用导磁材料把直流磁场干扰源包围，使它 发散出来的磁力线在导磁材料内部形成一个闭环回路，减少它对外界的干扰。 导磁材料 （如钢铁等）的结构和设备被磁化后也会产生直流磁场，现场实测时经常会发 现这种情况，另外地球物理磁场也是直流磁场，一般强度可达500～600mGass。好在一般强 度的直流磁场对电子显微镜没有什么影响，因为恒定不变的直流磁场是将全部电子束都偏转 同样角度而不扭曲图像，不会致使图像变形。所以普遍认为不必考虑直流磁场的影响。 4．中高频电磁场 在这个范围里 （一般是从1000Hz 到 1MHz），电磁波的能量比重逐渐由磁场分量向电场 分量倾斜，趋肤效应、磁滞损耗还有反射损耗等逐渐显得不可继续忽略了，频率变化的影响 也不像在低频范围里那样可以忽略不计了，屏蔽机理也随之逐渐由侧重屏蔽磁场分量转向侧 重屏蔽电场分量。 5．