制程观察：高风险的行业 - YMS Magazine.PDF

製程觀察：高風險的行業 作者 ：Douglas G. Sutherland 和David W. Price 作者註釋：本文是探索半導體產業製程控制（缺陷檢測與量測）根本法則的十集系列連載中的第 九集。每篇文章介紹十個根本法則之一，並著重說明其含義。在本文中，我們將使用 「檢測」這 一術語來表示缺陷檢測或參數量測，例如薄膜厚度或關鍵尺寸(CD) 。 前幾篇文章已經討論過製程控制的許多方面，包括從風險管理的一般概念到相關的具體問題1- 8 。在這篇文章中，我們將針對製程中最困難的步驟，介紹與此相關的風險管理策略。 第九個有關半導體IC 產業製程控制的根本法則為： 高風險的問題需採取分層的製程控制策略 在IC 製程中，有難以計數的事情可能出錯，而且有巨額的資金處於風險之中。由於誤差幅度隨著每個 新設計節點的加入而穩定下降，使得可能會嚴重影響製程的參數數量持續上升。多重曝光、間距 分割和其他先進曝光技術的複雜性不斷提高，亦無助於緩解此問題。 製程的複雜性增加也帶動了對新製程控制策略的需求。例如，高階疊對校正以前在45nm 以上製程中很少使用，而現在對2Xnm 及以下等級的製程而言已視為強制性程序。同樣地，晶圓構形之前僅會在裸晶圓製程中測量，但 現在已成為IC 晶圓廠的一項要求，以適應現今掃描儀中深度較淺的聚焦。出於同樣的原因，晶圓背面和邊緣檢 測也成為製程中常見的做法。某些製程步驟的困難度較高，需要具備不只一層的防線。 下圖 1 顯示一個潛在問題的嚴重性在水平方向上會增加，以及該問題實際發生的機率在垂直方向上也會 增加。在此圖中，術語「風險」可視為這兩種屬性的乘積：受影響的材料數量（嚴重性）乘以其 發生的機率。嚴重性可能會因多種原因而增加：下一個檢測點可能是在目前步驟的許多步驟之後 、在目前步驟的製程工具可能具有非常高的輸送量，等到發現問題時已接觸了許多批的晶圓，或 者兩種原因皆有。 圖 1 ：風險暴露圖表中右側為較高的嚴重性，上方則為較高的機率。所以，顯示於圖表右上方的問題具有較高的問題發生 機率，且暴露於該問題的材料數量也較大，這些問題將需採取分層的風險管理方法。 很顯然，圖表左下方是最安全的操作位置，問題發生的機率和嚴重性皆較低。然而，針對較接近 圖表右上方的製程步驟（具有高機率和高嚴重性），建立分層的方法來進行製程控制就非常重要 ，如果未能在第一個檢測步驟立即確定問題，此方法也能提供深思熟慮的後備計劃。有時，相較 於在問題步驟之後立即進行檢測，問題的某些方面在後續製程中更易於偵測到。 考慮形成第一層金屬層的情況，此方式會使用導線來連接各個晶體管。由於多種原因，這在執行 上可能會特別困難。在設計規則中，CD 和間距往往難以取捨，類似於柵極層。另外，內建冗餘（多通孔）的機會很小，因為每個晶體管 連接（源極、漏極和柵極）均僅存在一個接觸點，所以每一個連接均須能有效運作。 在此情況下，設有多個保護層才有意義，而且每一層皆具有獨特的功能。例如，您可能會在光刻 步驟後執行巨觀檢測，以發現微影製程中的任何重大缺陷。此外，在氧化蝕刻、阻障層沉積和銅 CMP 等步驟後也應執行檢測步驟。在製程中設有多個檢測步驟不僅可確保各層的形成製程品質，也有 助於您確保找出起源於該步驟的問題，使其不會在製程的後期造成顯著影響。 若一直等到銅CMP 步驟才進行最後的檢測，則檢測成效通常不夠充分。這將會檢測出CMP 製程中所顯示的問題，但可能無法區分問題是源自於本步驟或較早的步驟。只有在同一晶圓上執 行多個檢測步驟，您才能排除前幾層的缺陷並隔離問題。 在製程中設有多個檢測點，具有幾項好處。這有助於在製程早期即找出問題，可顯著減少材料的 曝光量。每月啟動50,000 片晶圓的裝置大約每天會啟動 1,600 片晶圓。若每天能更早確定問題，將可節省數百萬美元（取決於產量損失和晶圓成本）。多個檢 測點亦有助於診斷問題發生的位置，並加速恢復程序。在一段時間後，這些檢測點可提供更多有 關製程的資訊，以供持續改善計劃之用，這將有助於同時降低問題的嚴重性與發生頻率。 參考文獻： 1) 製程觀察：You Can’ t Fix What You Can’ t Find, Solid State Technology ，2014 年7 月