半导体的发展史.PDF

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2017-08-04 发布于天津
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半导体的发展史

三、半导体的发展史第一阶段：实验现象观察 1833年：M.Faraday发现半导体所具有的负电阻温度系数 1873年：W.Smith 首次发现半导体的光电导效应 1874年：F.Braun 首次发现半导体的整流效应 1883年：制造出硒整流器 1927年：制造出氧化亚铜整流器 1879年：Hall首次发现 Hall效应（半导体 R 0, R 0) H H 1931年：H.Dember 首次发现了光电池效应第二阶段：理论指导 1931年：A.H.Wilson 通过解薛定谔方程发展了能带理论 1942年前后，多位科学家提出了基本类似的整流理论第三阶段：晶体管诞生 1947年：Bardeen等人制造了第一个晶体管 John Bardeen William Bradford Shockley Walter H. Brattain 诺贝尔 1956 晶体管的三位发明人：巴丁、肖克莱、布拉顿  第四阶段：集成电路出现 * 1958年：杰克-S-基尔比发明第一块集成电路 SSI MSI LSI VLSI ULSI GSI 2 2 3 3 5 5 7 7 9 9 元件数 10 10 ~ 10 10 ~ 10 10 ~ 10 10 ~ 10 10 2 2 4 4 6 6 8 8 门数 10 10 ~ 10 10 ~ 10 10 ~ 10 10 ~ 10 10 * 1966年：形成大规模集成电路 * 1971年: 英特尔公司研制出诺贝尔第一块CPU集成电 4004(4位) * 1973年: 8008(8位)； * 1978年: 8086(16位)；…… 2000 集成电路发展的 Moore定律（1965年）: 晶体管数目（集成度）每十八个月增长一倍（即每三年增至四倍） 4040 8080 8086 80286 80386 80486 Pentium PentiumPro 数 109 管动态随机存储器 256Mb▲ 8 64Mb 体 10 DRAM 16Mb ▲ ▲ 80786 晶 107 4Mb ● ● ● 的