埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET 特性的影响 - 物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ ! #$$ ! ， ， ， Y=; 1’ 3= 1 ! Z@,?@BI #$$ （ ） !$$$#U$5#$$5’ $! 5$’%$( TC0T VWX)+CT )+3+CT !#$$ CD4, 1 VDI: 1 )= 1 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 埋氧层注氮工艺对部分耗尽!# $%!’( 特性 的影响 ）） ） ） ） ） ） ） ） ） ! ! ! ! ! # # # # 郑中山 刘忠立 张国强 李 宁 范 楷 张恩霞 易万兵 陈 猛 王 曦 !）（中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心，北京 !$$$% ） # ）（中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海 #$$$$ ） ）（济南大学物理系，济南#$$## ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #$$’ !( #$$’ ’ !’ 研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽 的特性产生的影响 实验发现，与不注氮的 )*+ ,-*)./0 1 )+-*2 基片相比，由注氮 基片制作的 的电子迁移率降低了 且由最低注入剂量的 基片制作的器件 )+-*3 ,-*)./0 1 )+-*3 具有最低的迁移率 随注入剂量的增加，迁移率略有上升，并趋于饱和 分析认为，电子迁移率的降低是由于 1 1 )45 )4* # 界面的不平整造成的 实验还发现，随氮注入剂量的提高， 的阈值电压往负向漂移 但是，对应最低注入 1 ,-*)./0 1 剂量的器件阈值电压却大于用 基片制作出的器件 固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化 )+-*2 1 可能是导致阈值电压变化的主要因素 另外发现，用注氮基片制作出的部分耗尽 的 效应明显弱 1