常见磁控溅射靶材利用率及其计算方法的探讨.PDF

第27 卷 第1 期 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 Vol.27, No.1 2 0 0 7 年 3 月 Nuclear Fusion and Plasma Physics March 2007 文章编号：0254-6086(2007)01-0066-07 常见磁控溅射靶材利用率及其计算方法的探讨 赵嘉学，金凡亚 (核工业西南物理研究院，成都 610041) 摘 要：探讨了矩形平面、圆形平面和圆柱管这三种常见磁控溅射源的靶材极限利用率的理论计算方法，推 出了利用率的近似计算公式，分析了影响利用率的因素。跑道刻蚀形状(宽度和收缩系数)强烈影响平面类静态靶 的极限利用率。旋转磁场圆柱管靶材的极限利用率主要决定于靶的自身几何尺寸(壁厚、长度和管径) ，与跑道的 刻蚀形状(即外界的物理因素)几乎没有关系。 关键词：极限利用率；安全剩余厚度；收缩系数 中图分类号：TB79 文献标识码：A 1 引言 为止) 。靶材利用率还与其它多种因素有关，比如 磁控溅射靶材的利用率可成为磁控溅射源的 靶的初始厚度，靶的具体结构设计等。 工程设计和生产工艺成本核算的一个参数。目前没 有见到对磁控溅射靶材利用率专门或系统研究的 2 计算及讨论 报道，而从理论上对磁控溅射靶材利用率近似计算 2.1 靶材利用率的通用计算公式 的探讨具有实际意义。对于静态直冷矩形平面靶， 靶材利用率η的计算公式可以表示为： 即靶材与磁体之间无相对运动且靶材直接与冷却 M s M 0 −M r η ×100% ×100% 水接触的靶，靶材利用率( 最大值) 数据多在 M 0 M 0 (1) 20%~30%左右[1~3] [3] V V −V (间冷靶相对要高一些 ，但其被 s ×100% 0 r ×100% 刻蚀过程与直冷靶相同，不作专门讨论) ，且多为 V V 0 0 式中，M 为靶材未使用前的原始质量；M 为靶材 估计值。为了提高靶材利用率，研究出来了不同形 0 s 被刻蚀掉的质量；M 为靶材的剩余质量；V 为靶 式的动态靶，其中以旋转磁场圆柱靶最著名且在工 r 0 材未使用前的原始体积；V 为靶材被刻蚀掉的体 业上被广泛应用，据称这种靶材的利用率最高可超 s [1,4] 积；V 为靶材的剩余体积。式(1) 中的后面四部分 过 70% ，但缺少足够