三段式门极驱动抑制MOSFET关断过冲振荡的研究 Three-stage type gate voltage drive circuit to reduce turn-off voltage overshoot and ring in MOSFET.pdfVIP

第17卷第7期 电 机 与 控 制 学 报 V01．17No．7 ELECTRICMACHINESANDCONTROL 2013 2013年7月 July 王孝伟1， 李铁才2…， 石坚1， 林琦3 (1．哈尔滨工业大学深圳研究生院，广东深圳518055；2．深圳航天科技创新研究院，广东深圳518057； 3．哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院，黑龙江哈尔滨150001) torfieldeffect 压应力，还为系统带来严重的电磁干扰的问题，对MOSFET的关断行为进行研究，通过分析低侧功 率驱动电路中门极电压对MOSFET关断过程的影响，推导出了关断过冲电压随门极电压变化的关 系式；基于分析提出了闭环的三段式门极电压控制方法，并设计了电路，电路在漏极电压首次超过 母线电压的瞬间，自动生成一段辅助电平信号，并施加至门极，用以抑制电压过冲和振荡。分析及 实验结