光电池特性的研究.pdfVIP

实 验 报 告 姓 名：dsffss 班 级：F1000000 学 号：5100000000 实验成绩： 同组姓名： 实验日期：2011-10-10 指导老师：助教15 批阅日期： 硅光电池特性的研究 【实验目的】 1. 了解硅光电池的工作原理及其应用； 2. 研究硅光电池的主要参数和基本特性． 【实验原理】 1．硅光电池的照度特性 硅光电池是属于一种有PN结的单结光电池．它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而制 成．当光照射在PN结上时，由光子所产生的电子与空穴将分别向 P 区和N 区集结，使PN结 两端产生光生电动势．这一现象称为光伏效应． （1）硅光电池的短路电流与照度关系 当光照射硅光电池时，将产生一个由N 区流向P 区的光生电流IPh ，同时由于PN结二极管 的特性，存在正向二极管管电流 ID ，此电流方向从P 区到N 区，与光生电流相反，因此实际 获得电流I为 qV I I I I I [exp( ) 1] (1) Ph D Ph 0 nk T B 式中V为结电压，I0为二极管反向饱和电流，I Ph是与入射光的强度成正比的光生电流，其比 例系数与负载电阻大小以及硅光电池的结构和材料特性有关．n为理想系数，是表示PN结特 性的参数，通常在1-2之间，q为电子电荷，kB为波尔茨曼常数，T为绝对温度．在一定照度 下，当光电池被短路（负载电阻为零），V = 0 ，由（1）式可得到短路电流 I SC I Ph (2) 硅光电池短路电流与照度特性见图 1． （2 ）硅光电池的开路电压与照度关系 当硅光电池的输出端开路时，I = 0 ，由（1）与（2 ）式可得开路电压 nk T I V B ln( SC 1) (3) OC q I0 硅光电池开路电压与照度特性见图 1． 2 ．硅光电池的伏安特性 当硅光电池接上负载R 时，硅光电池可以工作在反向偏置电压状态或无偏压状态．它 的 伏安特性见图 2 ．图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： （1）反偏工作状态，光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； （2 ）无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大． ~ 1 ~ 由图 2可看到，在一定光照下，负载曲线在电流轴上的截距是短路电流 IPh ，在电压轴上的 截距即为开路电压VOC ． 3 ．硅光电池的光谱响应． 图3为硅光电池的光谱特性曲线．即相对灵敏度Kr 和入射光波长λ的关系曲线．从图 4 中可看出，硅光电池的有效范围约在 450—1100 nm 之间． 硅光电池的灵敏度K 为 P() K () (4) ()T () 【数据记录与处理】 1.