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课程总结 2009.6 绪论 1.微电子技术发展历史（了解） 2.摩尔定律（熟悉） 3.等比例缩小定律（熟悉） 4.集成电路工艺的两个特有工艺（熟悉） ①隔离扩散 ②埋层扩散 5.集成电路工艺的最新发展（了解） ①光刻工艺：最小特征尺寸；②Si片：最大尺寸； ③互连线 第一章 衬底制备 1.1 衬底材料 1.1.1 衬底材料的类型（熟悉） 1. 元素半导体2. 化合物半导体3. 绝缘体 重点：Si的特性及在工艺中的用途 1.1.2 对衬底材料的要求（了解） 1.1.3 起始材料及多晶硅的制备（了解） 1.2 单晶的制备 1.2.1 直拉法（熟悉） 1.2.2 悬浮区熔法（了解） 1.2.3 水平区熔法（了解） 1.3 衬底制备 1.3.1 晶体定向（了解） 1. 光图像定向法 2. X射线衍射法 1.3.2 晶面标识（了解） 作用：1.主参考面2.次参考面 1.3.3 晶片加工（了解） 1.切片2.磨片3.抛光:重点是CMP 第二章 氧化 基本概念及术语（掌握） 桥键氧与非桥键氧，网络形成剂与网络调节剂，干氧、湿氧及水汽氧化，分凝系数，可动离子电荷Qm、界面陷阱电荷（界面态）Qit、氧化层固定电荷Qf、 氧化层陷阱电荷Qot SiO2在工艺中的作用（掌握） a.杂质扩散掩蔽膜b.器件表面保护或钝化膜c. MOS电容的介质材料d. MOSFET的绝缘栅材料e. 电路隔离介质或绝缘介质 2.1 SiO2的结构与性质 2.1.1. 结构（掌握） 重点：无定形（非晶形）结构 结构特点：短程有序，长程无序； Si-O4四面体结构 桥键氧与非桥键氧 2.1.2 主要性质（熟悉） ①密度②折射率③电阻率④介电强度⑤介电常数⑥熔点 ⑦腐蚀 2.2 SiO2的掩蔽作用 2.2.1 杂质在SiO2中的存在形式（了解） 1.网络形成剂：B、P、Sb等。 2.网络调节剂：Na、K、Pb、Ca、Ba、Al等。 2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数（熟悉） 扩散系数:DSiO2=D0exp(-ΔE/kT) B、P、As的DSiO2比DSi小， Ga、Al、的DSiO2比DSi大得多； 2.2 SiO2的掩蔽作用 2.2.3 SiO2掩蔽层厚度的确定（了解） 最小掩膜厚度ZOX,min的确定 若取 Nob/Nos=10-6，则ZOX,min＝6.8 (双极) Nob/Nos=10-9，则ZOX,min＝8.6 (MOS) 2.3 硅的热氧化生长动力学 2.3.1 硅的热氧化（熟悉） 1.干氧氧化：机理；特点。 2.水汽氧化：特点。 3.湿氧氧化：特点。 4.实际生产—干氧-湿氧-干氧工艺 好处： 2.3.2 热氧化生长动力学 1.氧化步骤（了解） 2.热氧化模型（Deal-Grove模型）（熟悉） 热氧化的两种极限情况： A.当DOXkS时，为扩散控制； B.当DOXkS时，为反应控制。 2.3.3 热氧化生长速率—氧化层厚度与氧化时间的关系 氧化层厚度与氧化时间关系（重点掌握） t*=(Z*2OX + AZ*OX )/B－时间常数； Z*OX-初始氧化层厚度。 两种氧化极限 a. A2/4Bt+t*， ZOX=B/A(t+t*) b. A2/4Bt+t*， 2.4 影响氧化速率的因素 2.4.1 决定氧化速率常数的因素（了解） 1. 氧化剂分压2. 氧化温度 2.4.2 影响氧化速率的其它因素(自学了解) 2.5 热氧化的杂质再分布 2.5.1 杂质的分凝与再分布（熟悉） 分凝系数 P、As、Sb: 10； Ga：20 ； B：0.1-1； 四种分凝现象：根据m1、m1和快、慢扩散 2.5.2 再分布对Si表面杂质浓度的影响（了解） 影响Si表面杂质浓度的因素： 2.6 薄氧化层（了解） 2.6.1 快速初始氧化阶段 干氧：z*=(23±3)nm，t*＝(A/B)z*；湿氧和水汽：t*＝0。 2.6.2 薄氧化层的制备 ULSI对薄氧化层的要求； 2.7 Si-SiO2界面特性 熟悉界面电荷的种类与危害 1. 可动离子电荷Qm Na+对器件性能的影响，降低Na+ 的措施； 2.界面陷阱电荷（界面态）Qit ； 3 氧化层固定电荷Qf； 4.氧化层陷阱电荷Qot 第三章 扩散 基本概念与术语（掌握）：间隙式扩散，替位式扩散，恒定表面源扩散，有限表面源扩散，两步法扩散，结深，方块电阻，预淀积，再分布。 掺杂的目的，应用及方法。（