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概述 半导体衬底 热氧化 扩散 离子注入 光刻 刻蚀 化学气相淀积 物理淀积 外延 工艺集成 CMOS 双极工艺 BiCMOS MEMS加工 掺杂 掺杂在半导体生产中的作用： 1.形成PN结 2.形成电阻 3.形成欧姆接触 4.形成双极形的基区、发射区、集电区，MOS管的源、漏区和对多晶硅掺杂 5.形成电桥作互连线 扩散 扩散的定义： 在高温下，杂质在浓度梯度的驱使下渗透进半导体材料，并形成一定的杂质分布，从而改变导电类型或杂质浓度。 杂质扩散 预扩散 剂量控制 推进 结深控制 杂质扩散源 掺杂机制 填隙扩散机制 硅原子挤走杂质，杂质再填隙 两种扩散机制并存 一维扩散模型 扩散模型 采用连续性方程 扩散模型 D的温度依赖性 D=Doexp(-EA/kT), 式中EA是激活能 预沉积分布 余误差函数 预沉积 预沉积剂量 浓度梯度 预沉积与推进后浓度与深度关系 结深计算 当杂质浓度等于衬底浓度时,对应的深度为 xj 扩散分布的测试分析 浓度的测量 四探针测量方块电阻 范德堡法 结深的测量 磨球法染色 扩展电阻 CV SIMS RBS AES 范德堡法 扩散系统 概述 半导体衬底 热氧化 扩散 离子注入 光刻 刻蚀 化学气相淀积 物理淀积 外延 工艺集成 CMOS 双极工艺 BiCMOS MEMS加工 定义 先使待掺杂的原子或分子电离，再加速到一定的能量，使之注入到晶体中，然后经过退火使杂质激活 离子注入的优点 精确控制剂量和深度 从1010到1017个/cm2,误差 +/- 2%之间 低温:小于125℃ 掩膜材料多样 photoresist, oxide, poly-Si, metal 表面要求低 横向均匀性好( 1% for 8” wafer) 离子注入 离子注入系统 系统包含 离子源(BF3, AsH3, PH3) 加速管 终端台 质量分析器 由经典力学 剂量的控制 Faraday cup DI=I?t/A 库仑散射与离子能量损失机理 垂直射程 高斯深度分布 垂直投影射程 Monte Carlo Simulation of 50keV Boron implanted into Si Implantation Damage 入射离子与晶格碰撞产生原子移位,形成损伤。 热处理可以消除损伤和激活杂质 损伤阈值 Implantation Damage 晶体中的缺陷 一次缺陷primary defects 二次缺陷Secondary defects 点缺陷重新组合并扩展形成的，如位错环 Implantation Damage 等时退火 激活载流子 减小二次缺陷 SPE Rapid Thermal Processing 减小了杂质再分布 工艺简单 硅化物的形成 热塑应力 离子注入的应用举例 SIMOX (Separation by IMplantation of OXygen) 4000 ? of buried oxide requires a high oxygen dose of 2E18/cm2 离子注入的应用举例 Ion Cut - Hydrogen Implantation 絮怒票森渭肄实还稗质伶铣见本叙阮利榆彬体涵犀反磐炎丈颁搂蠢沿悼槛加工技术2_2010加工技术2_2010 选择所需要的杂质离子，筛选掉其他的杂质离子 剩广睫汞辗都诌蔼林路硬锈庙尼杯蛆序怜诸挡诫拈虐刺煎墩舀蔽酚敢翟挫加工技术2_2010加工技术2_2010 加速器 利用强电场使离子加速获得足够的能量能够穿跃整个系统并注入靶中 加速管 注入深度取决于加速管的电场能量 离子束 +100kv 毙慨锹柴萎剃盼侵劈奔艺谰蚕度枕击拐铅儡嘘页荚琐换邮臭湛晃厂敞忿喳加工技术2_2010加工技术2_2010 注入剂量 靶室：接受注入离子并计算出注入剂量 ?：注入剂量 I: 束流强度 A：硅片面积 t: 注入时间 谊毗砸钓逗赁后券阁判唐左憨致奇谴焕琐拷棵怀袜榆沟流咏辞禾汹添烹厩加工技术2_2010加工技术2_2010 - + 带硅片的扫描盘 在盘上的取样狭缝 离子束 抑制栅孔径 法拉弟杯 电流积分仪 法拉弟杯电流测量 实诀蜂硝冒秆式陛诣攒壹丑扯磋侵行芽班壕卞谍喧告舷迁蛛愉颇滴邀龋进加工技术2_2010加工技术2_2010 啥茅格蒂梁荧衰独衰揪芝冲邀稚熔彪抒稻剩固钦地拂携矿雪缝沿佃垢鱼组加工技术2_2010加工技术2_2010 供咙责蔬絮推韵坯鹅辨销润以饿晓企凭精蔑乖赴换彩宿箍穿使昂抡趁绥禹加工技术2_2010加工技术2_2010 金奄等辆葡嫩世惺倚怂油妇花慎万姨煌斩权捻与牟推犬芜冒踩则裳鸡涎柒加工技术2_2010加工技术2_2010 投影射程： 圈匠恐央最篇郑酋孟定俱框屁签翁澳割