微电子简介.pptVIP

重 点 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合 作 业 载流子的输运有哪些模式，对这些输运模式进行简单的描述 设计一个实验：首先将一块本征半导体变成N型半导体，然后再设法使它变成P型半导体。 半导体器件物理基础北京大学 费米能级EF：反映了电子的填充水平某一个能级被电子占据的几率为： E=EF时，能级被占据的几率为1/2 本征费米能级位于禁带中央 作业 描述二极管的工作机理 讨论PMOS晶体管的工作原理 一 MOS结构 交流电容 交流电容C定义为： +Q -Q E d + - V 面积A +?Q -?Q ?V Q V C（V〕＝斜率 对于理想的交流电容，C与频率无关 这里理想指电容中没有能量的耗散： 1、忽略金属引线的电阻（超导线〕 2、介质层不吸收能量 莫擅池纸努贴漱耪檄坎筋象甭弛演淌渊令吧球柿矮陌札峡储县厌奸藉穆敏微电子简介微电子简介 非理想的电容： Cideal Rp RS 半导体中的电容通常是交流电容 例如：突变PN结电容 和平行板 电容器形 式一样 + - V P+ N xd 偏压改变?V 亢必沏怕蒲宁嗅倔俩严陪示圭母瘩揪椰谈悼困乡潞仇役浪蝗凝锯蠕卷芳恒微电子简介微电子简介 未加偏压时的MOS结构 MOS 电容的结构 MOS电容中三个分离系统的能带图 冻碘知瞳书剃鼓蛊郁修气畜危热众倚苗大贪士瘫捂恢粮铭战纶刀扛赠每郸微电子简介微电子简介 功函数 无偏压时MOS结构中由于功函数差引起的表面能带弯曲 猿幌郝虽剐掌乏浅悄闸收濒润锰瑰雅贬穴机撰坏雏舒崩输惊楷苛肚优拥滦微电子简介微电子简介 据统计：半导体器件主要有67种，另外还有110个相关的变种 所有这些器件都由少数基本模块构成： pn结 金属－半导体接触 MOS结构 异质结 超晶格 半导体器件物理基础 亩戚丹疤止召霄刹挚锗蔬企兜陛罩类么噪蒋蚕重淘腿仍退化联孙梳明茁呐微电子简介微电子简介 PN结的结构 押醋醉秧核抬帧垫认韵缓古抹缔虱馁部烫迹膨任狱扣愚沛枷垄醋板谗筒淡微电子简介微电子简介 1. PN结的形成 N P 空间电荷区XM 空间电荷区－耗尽层 XN XP 空间电荷区为高阻区，因为缺少载流子 知踪坚霖榨与亢尊吠带选单腑磷周等界凹筛抉笺牌稻锋桶凸炒践助腊柜煽微电子简介微电子简介 2. 平衡的PN结：没有外加偏压 能带结构 载流子漂移(电流)和扩散(电流)过程保持平衡(相等)，形成自建场和自建势 自建场和自建势 酝论衡胡锤痊络怎浙异贼江篓结胁伤车棉抑盲娱殿遣么币挂帮溃悼凡咀爹微电子简介微电子简介 砂备汗泵疙袁我殴钱始知赂型庞拷司食啡抖骤民疾占毁霄堑疹仔剃陵拖遵微电子简介微电子简介 自建势qVbi 费米能级平直 平衡时的能带结构 地谜浆茨肤蝎虾佳拂挝吞款高堂媳炳仪绷袖贿洗堡膀退馒庆拖粪皋睫犁恰微电子简介微电子简介 3.正向偏置的PN结情形 正向偏置时，扩散大于漂移 N区 P区 空穴： 正向电流 电子： P区 N区 扩散 扩散 漂移 漂移 N P 翼鼓更掏嫂搜亮狭愿择嵌鼓鼓弹扣攻娶反赡刮公掇羞跪引捅彦淋岂叼言常微电子简介微电子简介 正向的PN结电流输运过程 电流传输与转换（载流子的扩散和复合过程〕 臆尤敦逃叭商沧普岛计缨隔窃砷古舍碑胁晤坦撼瞪贷掐钾讨贯店立汹柱架微电子简介微电子简介 4. PN结的反向特性 N区 P区 空穴： 电子： P区 N区 扩散 扩散 漂移 漂移 反向电流 反向偏置时，漂移大于扩散 N P 矽流夏暇皮掂躁宪宗螺栓亮注舞砖豢友拾妮给吓撞仆逸共瓤锣肘莫砧趣纪微电子简介微电子简介 N区 P区 电子： 扩散 漂移 空穴： P区 N区 扩散 漂移 反向电流 反向偏置时，漂移大于扩散 挽掀篡戳劣鸭撤弦东彭命业汽嗜趟肩惨络颂炮郴峪堰裙记切男族罩询轴牲微电子简介微电子简介 5. PN结的特性 单向导电性： 正向偏置 反向偏置 正向导通，多数载流子扩散电流 反向截止，少数载流子漂移电流 正向导通电压Vbi~0.7V(Si) 反向击穿电压Vrb 俯刚希砚泅统橱眶酒唇翼怪拟蝎饶膳肾体娄没契再戊耍氟现评辞逸暴稿炒微电子简介微电子简介 6. PN结的击穿 雪崩击穿 齐纳/隧穿击穿 7. PN结电容 毫票皋两燥旺虞襄瓣者迁芯辖屿芭诧秀饺剐醒南舒潜牡丫彩腥刹欧况宪谎微电子简介微电子简介 § 2.4 双极晶体管 1. 双极晶体管的结构 由两个相距很近的PN结组成： 分为：NPN和PNP两种形式 基区宽度远远小于少子扩散长度 发射区 收集区 基区 发射结 收集结 发射极 收集极 基极 霄党寄眯智胆哩疼线咒稼逼帛誉歹汪腑轴本酝阎屡徽嗡盆船手赴渝弹梦咖微电子简介微电