750 kV GIS变电站特快速暂态过电压的实测研究 Field Research on Very Fast Transient Overvoltage in 750 kV GIS Substation.pdfVIP

TILUN ZHUANTAN专题论坛9 750kV GIS变电站特快速暂态过电压的实测研究 王 鹏1 森1，李媛媛2，卢江平1，王雪松1，吉宏亮1，胡攀峰1，张 p摘要：国内外对GIS中快速暂态过电压(vrro)进行过大量的计算研究，技术相对比较成熟，但是在现场测量方J 面还存在很多技术障碍需要研究和攻克。本文全面介绍内部、外部陡波前过电压和瞬态外壳地电位抬高(TGPR) kV 3种特快速暂态过电压的现场测量方法．并介绍了兰州东750GIS断路器投切空线的VPIO实测结果，为今后 现场特快速暂态过电压的测量提供了可借鉴的思路和方法。 关键词：750kV；GIS变电站；特快速暂态过电压；现场测量；投切空线 中图分类号：TM866 文献标志码：A 文章编号：1673—7598(2009)09—0029一04 水平。 0引言 1 VFTO实测方法概述 目前西北地区750kV系统和特高压输电工程 中．部分变电站采用GIS(HGIS)设计。750kV设备和500 内部VFFO的测试基本上借助于GIS内部安装的 kV以下电压等级相比绝缘裕度小．I天|此研究750kV超 无阻传感器。这种传感器是厂家乍产时同化到盆式 高压系统的vvro特性变得非常重要。由于目前我国绝缘子上。或测量时连接在GIS某端盖上，响应频率 750 000 要求达到100MHzl2I。 kV和1 kV特高压T程中不具备现场实测的 能力，所以要求有VFTO的计算结果。尽管同内外研 财于外部vm和瞬态外壳地电位升高(TEV) 究人员在VFTO计算方面开展了大量T作，但计算结的测试，国内还没有好的测量方法。国外使用球形传 果缺乏现场实测数据验证．围外现场测量数据很少【li。 感器来测量外部V盯O和TEV，频率响应能达至-11445 所以非常有必要进行750kV系统的VVIO现场实测，MHz。传感器被作成球形电容探头，测量电场强度的 为今后的超高压、特高压GIS现场调试奠定基础。 两个分最12]。 kV GIS巾vvro的现场测量存国际上还属于技术难 本文介绍兰州东750 GIS由断路器操作引起 题．其主要难点在于频率响应带宽很宽，频率响应的 的内部v盯O测量和瞬态外壳地电位升高的测量；并 kHz～100 MHz内±1 介绍了特高压隔离歼关投切容性负载时外部V丌0 平直度要求在lO dB{21。现场十扰 难于屏蔽．引线电感存高频下影响较大．尤其在 的测量。 750 kV及更高电压等级巾。屏蔽问题更为突出。因此 在对测量没备的校准和测量系统的屏蔽、测量准确 kVGISVFTOi贝J]量 2兰州东750 度上都存在技术瓶颈。 断路器的操作过程与隔离开关相似，但动作速 2．1 测量方式 度快．重燃次数少，理沦上产生的V丌O幅值和频率 测量3750kV兰州东变电站测试时GIS中断路 都会小]二隔离开关的操作，但由于没有Vm现场测 器操作产生的内部VFTO、TGPR。 kV输变电 量数据的支撑，使现场测量工作难以安排，因此借助 根据750kV兰州东—平凉～乾县750 kV系统调试时，仪在兰州东进行了