不同掺杂对可加工陶瓷二次电子发射及沿面闪络特性的影响 Effect of Different Dopant in Machinable Ceramic on Its Secondary Electron Emission and Surface Flashover Characteristics in Vacuum.pdfVIP

No．1 2011年1月 电工技术学报 V01．26 第26卷第1期 TRANSACTIONSOFCHINAELECTROTECHNICALSOCIETY Jan． 20ll 不同掺杂对可加工陶瓷二次电子发射及 沿面闪络特性的影响 于开坤1，4 张冠军1 田 杰1 郑 楠1 黄学增1 马新沛2 李光新2 山纳康3 小林信一3 (1．西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安 710049 2．西安交通大学材料与工程学院 西安 710049 338．8570 3．琦玉大学电气电子系统学部 日本垮玉县 4．河南省电力勘测设计院 郑州450007) 摘要 固体绝缘材料的表面特性极大地影响着其真空沿面闪络特性，长期以来这一现象极大地制 约着真空绝缘系统的整体性能，限制了高压电真空设备的发展进程。本文针对一种具有良好加工性能 及表面耐电特性的低熔点可加工微晶玻璃陶瓷引入真空绝缘的背景，在不明显降低可加工性能的前提 下，通过在可加工陶瓷原材料内掺杂不同的低二次电子发射系数金属氧化物cu：O以及Cr20，，研究 掺杂之后材料的二次电子发射系数的变化，对不同掺杂工艺下试品的沿面闪络电压进行研究。结果发 现：掺杂低二次电子发射系数金属氧化物能够相应降低可加工陶瓷材料的二次电子发射系数，通过研 究不同加工工艺条件下材料的闪络电压，发现试样的闪络电压随其二次电子发射系数的降低而提高。 关键词：沿面闪络 可加工陶瓷 二次电子发射系数 真空 中图分类号：TM28；TM85 of in EffectDifferent MachinableCeramiconIts Dopant Secondary ElectronEmissionandSurfaceFlashoverCharacteristicsinVacuum YuKaikun‘‘4 Tian．1ie‘ Nanl Ma ZhangGuanjunl Zheng HuangXuezen91Xinpei2 Li YasushiYaman03Shinichi Guangxin。 Kobayashi’ LabofElectricalInsulationandPower (1．State Key Equipment。 Xi’an Xi’an7l0049China JiaotongUniversity 2．Xi’an China Xi’an710049 JiaotongUniversity 3．Saitama Saitama338．8570 University Japan 4．HenanElectricPower and Institute 450007 SurveyDesign Zh