关于全膜并联电容器真空浸渍工艺探讨 Discussion on Vacuum Impregnation Process for All-film Shunt Capacitors.pdfVIP
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第33卷第4期 电力电容器与无功补偿 V01.33No.4
2012年8月 Power Power
Capacitor&ReactiveCompensation Aug.2012
关于全膜并联电容器真空浸渍工艺探讨
李子华1,唐青2
(1.苏州工业园区和顺电气股份有限公司,江苏苏州215021;2.苏州电力电容器有限公司,江苏苏州215021)
摘要:在全膜并联电容器的制造过程中,真空浸渍工艺过程是极其关键的。全膜并联电容器
真空浸渍工艺过程是否完善,既与电容器单元内部结构,尤其是元件结构及其在真空浸渍工艺
过程所处的姿态密切相关,又与真空浸渍工艺过程中的3个关键参数,即:温度、真空度、时间,
密不可分。本文对这两方面进行了初步探讨,希望对提升全膜并联电容器的产品质量有所
帮助.
关键词:元件;温度;真空度;时间
DiscussiononVacuum ProcessforAll-filmShunt
Impregnation Capacitors
uZi—hua.TANG
Qing
IndustriesParkHeshunElectrical
(1.Suzhou Co.,Ltd.,Suzhou215021,China;
2.SuzhouPower
CapacitorsCo.,Ltd.,Suzhou215021,China)
vacuum is criticalinthe ofall—film
Abstract:The extremely productionprocess
impregnationprocess
shunt ofvacuum ofall—filmshunt
capacitors.Perfectionimpregnationprocess capacitorsproduction
is relatednot tointernalstructureofall-filmshunt totheele—
closely only capacitorunit,especially
mentsstructureandits inthe ofvacuum alsotosuchthree
configurationprocess impregnation,but
inthe as andtime.Inthis dis—
keyparametersprocesstemperature,vacuum paper,apreliminary
cussiononthosetwo is is to to ofall—filmshunt
made,whichexpectedhelpimprovequality
aspects
capacitors.
Keywords:elements;temperature;vacuum;time
制机和德国海德里希的真空浸渍系统等,使得
0 引言
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