GaN薄膜的椭偏光谱研究 Study of the GaN Film by Spectroscopic Ellipsometry.pdfVIP

10.3969/j.issn.1003-353x.2011.11.002 GaN薄膜的椭偏光谱研究 余养菁 张斌恩 李孔翌 姜伟 李书平 康俊勇 厦门大学物理系教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心 福建省半导体材料及应用重点实验室，福建厦门361005 摘要：采用椭圆偏振光谱法，在1.50～6.50eV光谱内，研究了在蓝宝石衬底(0001)面上 使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。 建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较 后选择了TanguyExtended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明， TanguyExtended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波 段)的色散关系。提供 了GaN薄膜在1.50～6.50eV光谱范围内的寻常光 (o光)和非寻常光 (e光)折射率和消光系数色散关系，为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。