GeSi(100)量子点生长与形态分布的研究 Study on Growth and Morphology Properties of GeSi (100) Quantum Dots.pdfVIP

V01．29No．2 Apr．2008 SEMICONDUCTOROPTOEI。ECTRONICS Ge／Si(100)量子点生长与形态分布的研究 周志玉 9 周志文1，李 成1，陈松岩 余金中1’2，赖虹凯 f1．厦门大学物理系半导体光子学研究中心。福建厦门361005： 2．中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室．北京100083) 摘 要： 利用超高真空化学气相淀积系统，通过控制淀积量、温度、流量等生长参数，在n型 Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品，用原子力显微镜进行了表征与分析。系统地 研究了生长参数对Ge岛形态分布的影响并分析了有序、高密度Ge岛的生长机理。结果表明，从 二维向三维岛跃迁后，最初形成的高宽比(高度与底宽的比值)在0．04～O．06之间的小岛是一种在 低温下可以与圆顶岛共存的稳定岛，两种岛的分布随淀积参数的变化而变化。在高温下小岛几乎 消失，流量的变化对小岛的密度影响较小。实验中获得小岛的密度最高为2．6X1010cm～，圆顶岛 的密度最高为4．2×