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- 2017-08-10 发布于上海
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趋势与展望
MOSFET器件回顾与展望(上1)
肖德元1，夏青2，陈国庆1
(1．中芯国际集成电路(上海)有限公司·存储器技术发展中心，上海201203；
2．上海第二工业大学，上海201209)
摘要：简述了M0sFET器件工作原理，回顾了器件发展历程，列出亟待解决的器件工艺问题以及面临
的挑战。
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管； 微电子技术：发展历程与挑战
中图分类号：TN386．1文献标识码：A 文章编号：1003·353X(2006)11-0805-05L
and ofMoSFET(I)
HistoryPerspectiVe
XIAO
De—yuanl，XIAQin92，CHENGuo-qin91
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