掺杂氧化钇的ZnO电阻片电性能和微观结构特征 The Electrical and Microstructral Performance of ZnO-Bi2O3 Based Varistor Doped with Y2O3.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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掺杂氧化钇的ZnO电阻片电性能和微观结构特征 The Electrical and Microstructral Performance of ZnO-Bi2O3 Based Varistor Doped with Y2O3.pdf

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电瓷避雷器年第期总第期 2006 Number6 (Ser.!2 14) 2006 6 ( 214 INSULATORS AND SURGE ARRESTERS 文章编号! ( 1003-8337 2006 06-0026-04 掺杂氧化钇的ZnO 电阻片电性能和微观结构特征马军王玉平西安电瓷研究所陕西西安 ( , 7 10077 摘要研究了掺杂氧化钇对电阻片的电位梯度方波容量和压比的影 : D5 ZHO ~ U /U ) 5kA LmA 响结果表明随着氧化钇含量的增加电位梯度持续增加最高达到当氧化钇含 , , , , 367 V/mmO 量在时压比和方波容量性能最好分别为和 3 从微观分析结果可以 0!3%0!7% , , 1!: 246]/cm O , 看出上述电性能特征在微观层次上的产生根源是含钇晶间相的总量和分布的变化通过能谱分 , O 析和射线衍射分析确定了含钇晶间相的成分范围为都为 X , : Y 10% 0% ; Bi~ Sb 15%25% , 主晶相化学组成为Y Sb O O 1!5 0!5 3!5 关键词电阻片不同氧化钇含量电性能微观结构含钇晶间相 : ZHO ; ; ; ; 中图分类号! TM862 文献标识码! A The Electrical and Microstructral Performance of ZnO-bi 0 based Varistor Doped with Y 0