正反欧姆区间伏安特性对TiN 薄膜微观结构及性能的影响.PDF

第45 卷 第9 期 稀有金属材料与工程 Vol.45, No.9 2016 年 9 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING September 2016 正反欧姆区间伏安特性对TiN 薄膜 微观结构及性能的影响 郝 娟，蒋百灵，杨 超，冯 林，张彤晖 (西安理工大学，陕西 西安 710048) 摘 要：采用脉冲控制模式将气体放电伏安特性由磁控溅射离子镀的“正欧姆”区间引入到“反欧姆”区间，并在不同靶电 流密度下制备了TiN 薄膜。研究了正反欧姆区间伏安特性对薄膜微观结构及性能的影响。结果表明：在靶电流密度（Itd ）大 于0.2 A·cm-2 的反欧姆区间，薄膜具有良好的表面质量和致密程度；且薄膜的硬度和膜/基结合强度分别由正欧姆区间Itd 为0.11 A·cm-2 的9.9 GPa、4.5 N 提升到反欧姆区间Itd 为0.38 A·cm-2 的25.8 GPa 、18 N。 关键词：反欧姆区；靶电流密度；TiN 薄膜；离化率 中图法分类号：TB43 文献标识码：A 文章编号：1002-185X(2016)09-2439-05 TiN 薄膜以其高硬度、优异的耐磨及耐腐蚀性、较 的碰撞几率实现靶材原子离化率成倍的提高。 高的化学稳定性和良好的力学性能等优点在当今工业领 但采用直流大功率持续放电必然会在靶材微区熔融 [1] [8-10] 域中得到了广泛应用 。目前，多弧离子镀和磁控溅射 产生大颗粒喷射，影响成膜质量 。因此本实验选取 离子镀为制备TiN 薄膜的主流技术。多弧离子镀较高的 脉冲电源控制模式，将靶材与真空腔壁之间的伏安特性 沉积温度不仅造成基体二次回火影响基体性能，且表面 由正欧姆过渡到反欧姆区间，在靶面能量积累达到使靶 [2] 易产生微米级大颗粒影响成膜质量 。而磁控溅射离子 材融化的临界时间之前将放电停止，避免脉宽过长而产 镀因沉积温度低、易实现多组分共溅射及可制备出表面 生微区熔池，实现脱靶粒子由纯粹的级联碰撞过渡为级 光滑的高质量薄膜等优点，引起了薄膜制备领域的广泛 联碰撞加场致发射效应的混合脱靶机制。并在不同靶电 [3-5] 关注 。但其气体放电伏安特性处于小电流密度的正欧 流密度下制备TiN 薄膜，研究正反欧姆区间伏安特性对 姆区，脱靶的低能中性原子在经过等离子区时仅有少量 TiN 薄膜微观形貌及性能的影响。 [6] 被电离，造成靶材原子的离化率极低（不足 10%） ， 1 实 验 难以获得结构致密且结合力较好的膜层，严重制约了该 技术在精密机械制备基础件和电子器件行业的应用。因 实验利用真空腔容积为Φ(450 mm)×H(400 mm) 的 此，提高脱靶粒子的离化率，以期改善镀层致密性和提 MSIP-019 型闭合