硅直接键合（SDB）技术在新型电力电子器件.PDF

第 28卷 第 4期 电 子 器 件 Vo1．28 No．4 2005年 12月 ChineseJournalofElectronDevices Dee．2005 Application ofSiliconDirectBondingTechnique inNew PowerElectronicDevice W ANG Cai-lin，GAO Yong，ZH ANG Xin (DepartmentofElectronicEngineering，Xi’anUniversityof Technology，Xi’an710048，China) Abstract：Thepapersummarizedthenew applicationsofthesilicondirectbonding(SDB)techniquein the new powerelectronicdevices。suchasInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)，StaticInductionThyris— tor (SITH)，MoSTurn—offThyristor (MTo)，etc．Thenew methodsandideasofSDBusedinthenew powerelectronicdeviceswerealsodescribed，andbasedonwhich，aconceptthatIntegratedGateCommu— tatedThyristor (IGCT)andIntegrated—GateDualTransistor(IGDT)diesmadebytheSDB techniquewas presentedandtheirprocessmethodsweregiven． Keywords：silicondirectbonding (SDB)；powerelectronicdevices；integratedgatecommutatedthyristor (IGCT)；integrated—gatedualtransistor(IGDT)；MOSturn—offthyristor (MTO) EEACC ：2550E ；2560P；2560L 硅直接键合 (SDB)技术在新型电力电子器件 应用中的新进展 王彩琳，高 勇，张 新 (西安理工大学电子工程系 ，西安 710048) 摘 要：综述了硅直接键合 (SDB)技术在绝缘栅双极晶体管(IGBT)、静电感应晶闸管(SITH)~MOS控制可关断晶闸管 (MTO)等器件中的新应用，说明了SDB技术在新型电力电子器件应用中的新方法和新思路。在此基础上，提出了用SDB技术 制作集成门极换流晶闸管(IGCT)和集成门极双晶体管(IGDT)的设想，并给出了相应的工艺方案。 关键词：硅直接键合；电力电子器件；集成门极换流晶闸管；集成门极双晶体管；MOS控制可关断晶闸管 中图分类号：TN34；TN342．4 文献标识码：A 文章编号：1005—9490(2005)04—0945—04 硅直接键合 (SBD)是指在不需要任何粘结剂和 年 J．B．Lasky首次报道[1以来，得到了快速发展和 外加 电场情况下 ，将两个表面经亲水处理 的硅片面 广泛应用。目前 ，关于SDB的实验方法 、界面性质及 对面贴合 ，通过高温处理可以直接键合在一起 ，形成 界面能的计算等方面[2]的研究 已较多，但对用于 一 个具有一定强度的键合片。由于该工艺简单 ，两键 器件制备的相对较少 ，且较多的集中在 SOI材料方 合片的晶向、电阻率、导电类型、厚度 、掺杂浓度等可 面。为了将 SDB技术更好地用于电力电子器件 ，需 自由选择 ，且与半导体工艺完全兼容 ，所 以自1985 要寻求低温低压下的键合条件或