离子布植的阻滞现象分成.PPT

電子阻滯力 晶片中的電子雲或自由電子作用在入射離子上的作用力， 屬於非彈性碰撞。 電子被撞擊後，被撞離開軌道，並以輻射出X-光來釋放被 撞擊的能量，減低本身的能量，稱為電子阻滯力。 由於電子很輕(約等於中子質量的1840分之一) ，所以撞擊 並不會改變離子的方向，而且離子損失的能量也很少。 入射離子會發生的機制為主，是由入射離子的能量與質量 來決定的；一般，高能量以電子阻滯為主，因為入射的離 子能量強，所以速度快，還來不及碰到原子核時，就已經 跑掉了。而低能量則是以原子核阻滯為主。 原子核阻滯力-1 q M1 E0 V0 M2 M2 M1 V1 V2 R：離子停止前所走的距離 Rp：投影射程 M1：離子的質量 M2：矽原子的質量 利用動能不滅與動量不滅定律，假設以正面碰撞來考慮： ·········傳給M2的能量 原子核阻滯力-2 右圖是砷、硼與磷在矽 晶圓中，對不同的入射 能量的原子核阻滯力能 量損失。 重原子核 (入射離子) 有 比較大的原子核阻滯力 。 原子核 電 子 0 200 400 600 800 1000 1500 1000 500 0 能量損失(eV/nm) 能量(eV) 700keV 130keV 投影射程Rp 離子佈植的軌跡與投射範圍 離子的能量越高，佈植就越深。 越小的離子的碰撞截面積會越小，所以打的會越深。 離子束 矽晶片 到晶片表面的深度 R：離子停止前所走的距離 離子束的軌跡R 投射量深度Rp 離子束 0.6n(Rp) n(Rp) Rp sp s⊥ 佈植 的深度 晶片表面 ln(濃渡) 高斯分佈函數 高斯分佈函數 高斯分佈函數： Rp：投影射程 sp：投影散佈 S：每單位面積的離子劑量 離子束 0.6n(Rp) n(Rp) Rp sp s⊥ 0 10 100 1000 能量(keV) 10 1 0.1 0.01 0.001 投影量離散和垂直擴散與橫向擴散(mm) Rp s⊥ sp P P As As B P As B B 矽 例：假設硼以100keV，5×1014ions/㎝2的劑量佈植在20mm的 矽晶圓，請問峰值濃度為多少？如果佈植的時間只有一 分鐘，那麼離子束佈植的電流又是為多少？ 解：從上一頁投影片看到 100keV 的硼的投影射程大約是0.3 mm，而投影散佈大約是0.07mm，將這些資料代入高斯 函數內。 ，S表示每單位面積的離子劑量 當 表示是佈植的峰值，因此 當x＝Rp， ions/㎝2 植入的離子總量等於 個離子 所以離子電流 由 知道最大的濃度發生在Rp處，而且 Rp也與入射離子的質量與能量相關；而?Rp與入射的離子 質量和矽原子質量比有關。 佈植的投影射程與投影散佈 下圖是硼離子在不同入射能量對深度的濃度分佈圖；可以看出入射離子的深度隨能量增加而變的越深，但峰值則是減低，原因是因為峰值越大，sp當然也要越大，才能讓總佈植量成為定 值： 能量與入射離子深度 0 0.5 1.0 1.5 深度(mm) 1021 5×1020 0 雜質濃度(㎝3) 50keV 100keV 200keV 400keV 臨界角 離子未被散射離開通道的最大角度稱為臨界角，一般臨界角 正比於 ，下表可以看到為減少離子的通道效應，佈植的能 量越小，所需的傾角度越大。 7.74 4.35 3.31 9.01 5.07 3.84 6.95 3.91 2.97 10 100 300 銻 6.45 3.63 2.76 7.51 4.22 3.21 5.79 3.26 2.47 10 100 300 磷 5.3 2.98 2.26 6.97 3.47 2.98 4.7