f=210GHz的超高速InPInGaAs单异质结晶体管 Ultra High-Speed InPInGaAs SHBTs with ft of 210GHz.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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f=210GHz的超高速InPInGaAs单异质结晶体管 Ultra High-Speed InPInGaAs SHBTs with ft of 210GHz.pdf

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第29卷第3期半导体学报 V01．29No．3 2008年3月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS Mar．，2008 21 Ultra SHBTswithof 0GHz InP／InGaAs ft High—Speed Weil，JinZhil”，Liu Anhuai2，andQi Cheng Xinyul，YuJinyon91，Xu Mingz 100029，China) (1Institute AcademyofSciences，Be(1ing ofMicroelectronics，Chinese Institute 200050，China) (2 of and Academyo，Sciences，Shanghai Shanghai MicrosystemInformationTechnology，Chinese for bi- and InP／InGaAsheterojunction Abstract：Polyimidepassivationplanarizationprocesstechniqueshighspeed single transistors(SHUTS)aremaximum of210GHzisachievedfortheSHBTwith polar developed．Aextrapolated，t 1．4pm× area deviceissuitablefor andlow 15扯memitteratycB=1．1Vandlc=33．5mA．This speed powerapplications，such high as mixed communicationICs。 ultra circuitsand highspeed signal optoelectronic Keywords：InP；HBT；polyimideplanarization EEACC．．2560J Document Article CLCnumber：TN385 code：A ID：0253-4177(2008)03-0414．04 can over-etching I Introduction