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第26卷第2期 电子测量与仪器学报 场£26No.2
·126· JoURNALoF ANDINsTRUMENT
ELEcTRoNIcMEASUREMENT 2012年2月
DOI:10.3724,SP.J.1187.2012.00126
3D.SIC中多链式可配置容错结构木
王 方 田1,3
伟1,3董福弟1,3 芳2 兰方勇1,3 陈 刘 军1,3
(1.合肥工业大学系统结构实验室,合肥230009;2.合肥工业大学管理学院,合肥230009;
3.合肥工业大学情感计算与先进智能机器安徽省重点实验室。合肥230009)
摘要:三维(3.Dimension)芯片结构由于有着高密度、高速率、低功耗等优点而逐渐成为超大规模集成电路技术中的热门
研究方向之一,在3D结构中通过使用硅通孔来连接垂直方向上的不同模块单元。但TSV在生产过程中会出现部分失效,导致
整个芯片的失效。鉴于此,提出了多链式可配置容错结构,通过配置交叉开关单元,将TSV链与增加的冗余TSV导通的方法实
现失效TSV的修复。实验表明整体修复率可以达到99%以上,同时面积开销和传输延迟也较低。
关键词:i维;过硅通孔;修复;容错
中图分类号:TP391.7 文献标识码:A 国家标准学科分类代码:520.3
Multi-chain fault-tolerant
typeconfigurable schemein3D-SIC
Weil’3 Fudil·3 Lan ChenTianl’3LiuJunl·3
Wang Dong FangFan92 Fangyon91’3
of of of
(1.StudioComputerArchitecture,HefeiUniversityTechnology,Hefei230009,China;2.School
Management,Hefei
Province
230009,China;3.AnHui ofAffective and
UniversityofTechnology,Hefei KeyLaboratory Computing
Advanced Machine,Hefeiof
Intelligent UniversityTechnology,Hefei230009,China)
to andlow structureis oneof
Abstract:Owinghighdensity,highfrequencypower3-Dimension(3D)chipbecoming
themost academicresearchfieldin Scale
Very Circuits(VLSI).Vertical
popular Large Integrated
iSusedtoconnectverticalmodulesunits.BUtinthe ofthemwillbe will
(TSV)structure productionproc
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